[发明专利]一种基于RFID的智能脱扣器

权利要求书

1.一种基于RFID的智能脱扣器，包括智能控制板和脱扣机构，所述智能控制板与脱扣机构连接，其中，智能控制板发送控制信号到脱扣机构，使其完成脱扣动作，同时通过脱扣机构内的传感器实时检测脱扣状态，其特征在于：所述智能控制板包括：

开关电源单元(1)，耦接于外部市电，用于将外部市电的交流电源转换成稳定的直流电后输出作为电源；

信号检测单元(2)，该信号检测单元(2)包括铁芯互感器(21)、RC滤波器(22)和交直流转换器(23)，所述铁芯互感器(21)与外部市电互感，输出感应信号，所述铁芯互感器(21)、RC滤波器(22)和交直流转换器(23)依次串联，RC滤波器(22)用于对感应信号进行滤波后输入到交直流转换器(23)内，交直流转换器(23)用于将滤波后的感应信号转换成直流信号后输出；

微处理器单元(3)，耦接于交直流转换器(23)，还耦接于脱扣机构，以接收交直流转换器(23)输出的直流信号，并对直流信号进行处理后输出显示信号；射频接收单元(4)，耦接于微处理器单元(3)，用于与外界射频发送单元进行通信，以接收外界射频发送单元输出的脱扣信号，并传输到微处理器单元(3)内，使得微处理器单元(3)输出驱动信号到脱扣机构进行脱扣；

显示单元(5)，耦接于微处理器单元(3)，用于接收显示信号，并显示出来。

2.根据权利要求1所述的基于RFID的智能脱扣器，其特征在于：所述射频接收单元(4)包括：

射频芯片U1，该射频芯片U1具有输入引脚、载波检测引脚、地址匹配引脚和输出引脚，所述输入引脚包括第一输入引脚和第二输入引脚，所述第二输入引脚耦接有电阻R10后耦接相互串联的电容C12和电容C13后接天线，该第二输入引脚还耦接有电容C9后接地，耦接有电容C10后耦接于第一输入引脚，所述第一输入引脚耦接有电容C11后接地，还耦接有电阻R11后耦接于电阻R10相对于第二输入引脚的一端，该第一输入引脚耦接有相互串联的电阻R12和电容C14后接地，所述载波检测引脚耦接于微处理器单元(3)，用于输出载波信号到微处理器单元(3)内，所述地址匹配引脚耦接于微处理器单元(3)，用于输出地址信号至微处理器单元(3)内，所述输出引脚耦接于微处理器单元(3)，用于输出脱扣信号至微处理器单元(3)内。

3.根据权利要求2所述的基于RFID的智能脱扣器，其特征在于：所述载波检测引脚、地址匹配引脚和输出引脚与微处理器单元(3)之间耦接有连接隔离装置(6)，所述连接隔离装置(6)包括连接线(61)和套接在连接线(61)上的屏蔽壳(62)，所述连接线(61)包括载波线(611)、地址线(612)和输出线(613)，所述屏蔽壳(62)设有三个，分别一一对应的套接在载波线(611)、地址线(612)和输出线(613)上，所述屏蔽壳(62)包括屏蔽套筒(621)，所述屏蔽套筒(621)的外侧壁上固定连接有连接片(6213)，所述连接片(6213)的一侧面上设有用于粘贴到脱扣器外壳上的胶水，所述屏蔽套筒(621)包括外筒(6211)和内筒(6212)，所述外筒(6211)和内筒(6212)同轴设置，所述内筒(6212)的外壁与外筒(6211)内壁相互贴合固定，所述外筒(6211)为金属筒，内筒(6212)为塑料筒。

4.根据权利要求1或2或3所述的基于RFID的智能脱扣器，其特征在于：所述交直流转换器(23)包括：

模数转换芯片U2，该模数转换芯片U2具有交流电压信号输入端、输出端，所述输出端与微处理器单元(3)耦接，所述交流电压信号输入端耦接有电容C1后接地，还耦接有电阻R1后耦接于铁芯互感器(21)的次级侧，所述电阻R1相对于铁芯互感器(21)次级侧的另一端耦接有稳压管D1和稳压管D2后接地，所述稳压管D1的阳极与电阻R1耦接，阴极与稳压管D2的阴极耦接，所述稳压管D2的阳极接地，其中电阻R1和电容C1组成RC滤波器(22)。

5.根据权利要求4所述的基于RFID的智能脱扣器，其特征在于：所述铁芯互感器(21)包括电压互感器T1和电压互感器T2，所述电压互感器T1的初级侧与外部市电耦接，次级侧与电压互感器T2的初级侧耦接，所述电压互感器T2的次级侧与电阻R1耦接。

6.根据权利要求1或2或3所述的基于RFID的智能脱扣器，其特征在于：所述脱扣机构包括：

光耦继电器U4，该光耦继电器U4具有输入回路和输出回路，所述输入回路包括第一端和第二端，所述输出回路包括第三端和第四端，第二端与微处理器单元(3)耦接，所述第三端耦接于电源，第四端耦接有三极管Q1后接地，所述三极管Q1的基极与第四端耦接，发射极接地，还与外部市电的零线耦接；

继电器PL，该继电器PL包括线圈和开关，所述开关的一端耦接有电阻R3耦接于光耦继电器U4的第一端，所述开关的另一端耦接于外部火线，所述线圈的一端耦接有二极管D4后耦接于三极管Q1的集电极，所述二极管D4的阴极耦接于线圈的一端，阳极耦接于三极管Q1的集电极。