[发明专利]微机电结构传感器标定方法及装置

说明书

本发明提供了一种微机电结构传感器标定方法和装置，该方法包括：获取微机电结构传感器安装之后的初始误差；获取微机电结构传感器在工作时的环境温度；根据微机电结构传感器在工作时的环境温度以及环境温度与微机电结构传感器误差之间的关系确定微机电结构传感器的环境温度误差；以及使用微机电结构传感器的初始误差和环境温度误差对微机电结构传感器的输出值进行标定。

技术领域

本发明涉及微机电结构(MEMS,Micro Electro Mechanical Systems)传感器领域，具体涉及一种微机电结构传感器标定方法及装置。

背景技术

MEMS传感器是一种微米级的类似于集成电路芯片的器件，其包括硅微电子技术加工的机械振动系统和用于信号转换控制的专用集成电路(ASIC)系统。MEMS传感器在汽车、医疗、移动电子设备等领域有着广泛的应用，例如其可在汽车的电子稳定控制(ESC)系统、制动防抱死(ABS)系统中用于检测角速度和横向/纵向加速度等。

由于MEMS传感器在安装时会存在一定的安装误差，造成使用时输出值的误差，因此需要在MEMS传感器安装后对其进行标定，即确定安装误差的大小，以便对输出值进行校正。目前对MEMS传感器的标定方法是在MEMS传感器安装后第一次上电时，读取传感器输出值作为初始误差值，之后在使用过程中将每次读取的传感器输出值减去该初始误差值，作为正确的传感器输出值。

然而，MEMS传感器的输出数据实际上受到环境温度的影响很大。而目标的MEMS传感器标定方法仅考虑了机械安装误差的影响，没有考虑环境温度的影响。

可见，本领域中需要一种改进的MEMS传感器标定解决方案。

发明内容

在本发明的一个方面，提供了一种微机电结构MEMS传感器标定方法，包括：获取MEMS传感器安装之后的初始误差；获取MEMS传感器在工作时的环境温度；根据所述MEMS传感器在工作时的环境温度以及所述环境温度与MEMS传感器误差之间的关系确定所述MEMS传感器的环境温度误差；以及使用所述MEMS传感器的初始误差和环境温度误差对所述MEMS传感器的输出值进行标定。

在本发明的另一个方面，提供了一种微机电结构MEMS传感器标定装置，包括：MEMS传感器；温度传感器，其被配置为检测所述MEMS传感器在工作时的环境温度；微控制器，其被配置为：获取所述MEMS传感器安装之后的初始误差；根据所述MEMS传感器在工作时的环境温度以及环境温度与MEMS传感器误差之间的关系确定所述MEMS传感器的环境温度误差；以及使用所述MEMS传感器的初始误差和环境温度误差对所述MEMS传感器的输出值进行标定。

附图说明

图1示例性的示出了根据本发明的实施例的一种MEMS传感器标定方法；

图2示例性地示出了根据本发明的实施例的MEMS传感器的标定方法所使用的神经网络结构；以及

图3示例性地示出了根据本发明的实施例的一种MEMS传感器标定装置的结构框图。

具体实施方式

下面参照附图描述本发明的实施例。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便使所属技术领域的技术人员更全面地了解和实现本发明。但是，对所属技术领域的技术人员明显的是，本发明的实现可不具有这些具体细节中的一些。此外，应当理解的是，本发明并不局限于所介绍的特定实施例。相反，可以考虑用下面所述的特征和要素的任意组合来实施本发明，而无论它们是否涉及不同的实施例。因此，下面的方面、特征、实施例和优点仅作说明之用，而不应看作是权利要求的要素或限定，除非在权利要求中明确提出。

现参照图1，其示意性地示出了根据本发明的实施例的一种MEMS传感器标定方法。

如图1中所示，根据本发明的实施例的该微机电结构MEMS传感器标定方法包括以下步骤：