[发明专利]柔性基材电路板及其制备方法和设备

权利要求书

1.一种柔性基材电路板的制备方法，其特征在于，包括：

清洗柔性基材；

在所述柔性基材表面，利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗，并形成金属掺杂层；

利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在所述金属掺杂层上通过磁过滤沉积得到3nm～10nm的第一金属膜层；

利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层；

利用所述FCVA离子源，在所述金属钉扎层上，磁过滤沉积出10nm～30nm的金属覆盖层；

在所述金属钉扎层上进行金属沉积，形成金属覆盖层；

在所述金属覆盖层上刻蚀电路。

2.根据权利要求1所述的金属钉扎层的制备方法，其特征在于：

所述基底层为聚酰亚胺聚合物；和/或，

所述第一金属膜层为Ni膜层或者Cu膜层。

3.根据权利要求2所述的金属钉扎层的制备方法，其特征在于：

所述第一金属元素为Ni或者Cu，其注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度为70～120nm；

和/或，

所述第二金属元素为Ni或Cu，其注入电压为10～15kV，注入金属束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²。

4.根据权利要求2或3所述的金属钉扎层的制备方法，其特征在于，所述金属覆盖层的金属元素为Ni或Cu，且厚度为10～30nm；所述磁过滤沉积时，弧流为90～150A，弯管磁场电流为1.0～4.0A。

5.一种柔性基材电路板的制备设备，其特征在于，包括：

第一注入装置，配置为利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗，并形成金属掺杂层；

第一沉积装置，配置为利用所述FCVA，在所述金属掺杂层上通过磁过滤沉积得到3nm～10nm的第一金属膜层；

第二注入装置，配置为利用所述MEVVA离子源向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。

第二沉积装置，配置为利用所述FCVA，在所述金属钉扎层上沉积出10～30nm的金属覆盖层；

刻蚀装置，配置为在所述金属覆盖层上刻蚀所需的电路。

6.根据权利要求5所述的柔性基材电路板的制备设备，其特征在于：

所述第一注入装置中，Cu或者Ni的注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度为70～120nm；

所述第二注入装置中，Cu或者Ni的注入电压为10～15kV，注入金属束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²。

7.根据权利要求5或6所述的柔性基材电路板的制备设备，其特征在于，所述第一、第二沉积装置为FCVA离子源沉积系统，该FCVA离子源沉积系统包括：FCVA阴极(200)、触发电极(210)、阳极(220)、导管(230)以及磁场(240)。

8.根据权利要求7所述的柔性基材电路板的制备设备，其特征在于，所述第一、第二注入装置为MEVVA离子源注入系统，该MEVVA离子源注入系统包括：MEVVA阴极(300)、引出电极(310)以及抑制二次电子电极(320)。

9.一种采用如权利要求5所述的柔性基材电路板的制备设备制造的柔性基材电路板；

其中，所述柔性基材电路板包括：基底层、金属膜层、金属钉扎层、沉积于所述金属钉扎层之上的金属覆盖层、以及在所述金属覆盖层上的电路层。

10.一种终端设备，其特征在于，该终端设备的电路板采用有权利要求9所述的柔性基材电路板。