[发明专利]一种铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法，其特征在于所述的钼层制备方法包括如下步骤：

a）选取优质的聚酰亚胺薄膜作为铜铟镓硒太阳能电池的衬底，用化学水浴法将聚酰亚胺薄膜表面清洗干净；

b）采用多靶溅射方法：首先在聚酰亚胺薄膜的正面采用溅射靶机溅射至少一层疏松的钼层，然后在所述疏松的钼层基础上再采用溅射靶机溅射至少一层致密的钼层；其次在背面以同样方式用溅射靶机溅射有至少一层平衡正面钼层应力的镀层，该背面镀层选用与正面应力相当的金属或金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法，其特征在于所述的多靶溅射至少包括3个溅射靶机，其中第一溅射靶机在聚酰亚胺薄膜的正面溅射至少一层疏松的钼层，第二溅射靶机在聚酰亚胺薄膜的背面溅射至少一层钼层，第三溅射靶机在聚酰亚胺薄膜的正面疏松的钼层基础上面再溅射至少一层致密的钼层。

3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法，其特征在于所述的多靶溅射是在一个真空腔体内进行，在该真空腔体内安装有卷绕有衬底薄膜的卷绕设备；

首先，对真空腔体抽真空，使真空腔体内的真空度达到5E-4Pa；

其次，对衬底薄膜进行加热，使衬底温度为150℃~200℃之间；

再次，通入工艺气体Ar，使气压稳定在0.1pa~1pa之间，开启第一溅射靶机的电源，使第一溅射靶机进行磁控溅射，该第一溅射靶机区域的压强控制在0.5Pa，溅射靶机的直流电源功率控制为2kW，完成衬底薄膜正面的第一层疏松的钼层；开启第三溅射靶机的电源，使第三溅射靶机进行磁控溅射，该第三溅射靶机区域的压强控制在0.3Pa，溅射靶机的直流电源功率控制为1kW，完成衬底薄膜正面的第二层致密的钼层。

4.根据权利要求3所述的铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法，其特征在于：开启第二溅射靶机的电源，使第二溅射靶机进行磁控溅射，该第二溅射靶机区域的压强控制在0.1Pa，溅射靶直流电源功率控制为2kW，完成衬底薄膜背面的第一层钼层；

所述第一溅射靶机、第二溅射靶机和第三溅射靶机的区域目标温度分别设定在300℃、200℃、200℃；所述衬底薄膜的正面二层钼层厚度之和大于或等于背面一层钼层厚度；衬底薄膜在真空腔体内的传送速度设定为0.2m/s。