[发明专利]行锤击刷新命令

说明书

行锤击刷新命令。存储器控制器发布目标刷新命令。存储器设备的特定行可以是重复访问的目标。当行在时间阈值内被重复访问时（也称为“锤击”或“行锤击事件”），物理邻近行（“受害”行）可能经历数据恶化。存储器控制器接收行锤击事件的指示，标识与行锤击事件相关联的行，并且向存储器设备发送一个或多个命令以使得存储器设备执行将刷新受害行的目标刷新。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及存储器管理，并且更具体地涉及响应于行锤击（rowhammer）事件而发送刷新命令。

版权通告/许可

本专利文档的公开的部分可以包含经受版权保护的材料。版权所有人对本专利文档或专利公开中任一个如其出现在专利与商标局专利文件或记录中的那样的再现没有异议，但是以其它方式保留无论任何的所有版权权利。版权通告适用于如以下和于此的附图中描述的所有数据，以及应用于以下描述的任何软件：版权©2012，Intel Corporation（英特尔公司），版权所有。

背景技术

随着计算技术中的发展，计算设备更小并且具有多得多的处理能力。此外，它们包括越来越多的存储装置和存储器来满足在设备上所执行的编程和计算的需要。设备收缩的大小连同增加的存储容量通过提供更高密度的设备来达成，其中存储器设备内的原子存储单元具有越来越小的几何结构。

在增加密度的最新一代的情况下，已经在一些设备中出现了间歇失效。例如，一些现有的基于DDR3的系统在沉重工作负荷的情况下经历间歇失效。研究者已经追踪失效到在存储器单元的刷新窗口内对存储器的单个行的重复访问。例如，对于32nm过程，如果行在64ms刷新窗口中被访问550K次或更多，则对于所访问的行的物理邻近的字线具有经历数据恶化的非常高的可能性。行锤击可以引起跨通过闸（passgate）的迁移。由对一行的重复访问引起的漏电流和寄生电流引起在非所访问的物理邻近行中的数据恶化。失效问题已经被其最常被见于其中的DRAM行业标记为“行锤击”或“1行干扰”问题。

所标识的应对归因于行锤击的失效的一种方法是限制每个刷新周期每行所允许的访问数目，这在系统中具有性能影响。所标识的解决行锤击失效的另一方法包括减小埋沟阵列晶体管（BCAT）中的底部临界尺寸（BCD），和/或增加沟道长度以改善漏极感应势垒降低（DIBL）。然而，改变设备的尺寸大小具有物理和实际二者的限制。到某些尺寸现在可以改变的程度，将仍需要对制造过程的改变。而且，它使如何解决下一代产品中的问题这一难题尚无定论。

应对行锤击问题的另一方法是减小刷新之间的时间。然而，刷新时间甚至在设备的密度已经增加时也已经保持恒定。当前设备被要求在相同的时间段内在越来越大的区域上执行刷新。因此，进一步减小刷新时间将会引起系统中的性能影响，诸如通过需要存储器设备中的附加刷新开销。

附图说明

以下描述包括具有作为本发明的实施例的实现示例而给出的说明的各图的讨论。附图应当作为示例而并非作为限制地被理解。如本文所使用的，对一个或多个“实施例”的参考要被理解为描述了被包括在本发明的至少一个实现中的特定特征、结构或特性。因此，出现在本文中的诸如“在一个实施例中”或“在可替换实施例中”之类的短语描述本发明的各种实施例和实现，并且不必都是指相同实施例。然而，它们也不必相互排斥。

图1是提供目标刷新命令的系统的实施例的框图。

图2A是提供用于存储器阵列的受害行的目标刷新的系统的实施例的框图。

图2B是提供用于存储器阵列的受害行的目标刷新的系统的实施例的框图，其中受害行在不同于过度访问的目标的区中。

图3是使用N个引脚来指示目标刷新命令的地址的系统的实施例的框图。

图4是支持目标刷新命令的命令真值表的实施例。

图5是图示了用于目标刷新命令的时序的信令的实施例的时序图。