[发明专利]使用共聚物多层电解质的负型显影方法和由其制备的制品在审
申请号: | 201710590169.0 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107665815A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | P·D·休斯塔德;J·朴;J·张;V·吉安;成镇旭 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈哲锋,胡嘉倩 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 共聚物 多层 电解质 显影 方法 制备 制品 | ||
1.一种多层制品,其包含:
衬底;以及
安置于所述衬底上方的两个或更多个层,其中每一所述层包含嵌段共聚物,其包含第一嵌段和第二嵌段,其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元,且所述第二嵌段包含当所述第一嵌段的重复单元含有氢受体时含有氢供体或当所述第一嵌段的重复单元含有氢供体时含有氢受体的重复单元;
其中所述两个或更多个层的最内层的所述第一嵌段结合到所述衬底,且安置于所述最内层上方的每一层的所述第一嵌段结合到各别底层的所述第二嵌段;且其中最外所述两个或更多个层的所述第二嵌段的所述氢供体或氢受体为封端的。
2.根据权利要求1所述的多层制品,其中所述两个或更多个层包含第一层和第二层,其中所述第一层为最内层且结合到所述衬底,且所述第二层为最外层且结合到所述第一层。
3.根据权利要求1或2所述的多层制品,其中所述第一嵌段的重复单元含有氢受体。
4.根据权利要求3所述的多层制品,其中含有氢受体的所述第一嵌段的重复单元包含含氮基团。
5.根据权利要求4所述的多层制品,其中所述含氮基团选自胺基、酰胺基和吡啶基。
6.根据权利要求1或2所述的多层制品,其中所述第一嵌段的重复单元含有氢供体。
7.根据权利要求1或2所述的多层制品,其中所述嵌段共聚物中的一种或多种进一步包含安置于所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的中性聚合物的嵌段。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的多层制品,其中所述衬底为半导体衬底。
9.根据权利要求8所述的多层制品,其中所述衬底包含上面安置有两个或更多个层的光致抗蚀剂图案,其中所述最内层的嵌段共聚物的所述第一嵌段结合到所述光致抗蚀剂图案。
10.根据权利要求9所述的多层制品,其中所述光致抗蚀剂图案通过负型显影方法形成,所述光致抗蚀剂图案在其表面上包含羧酸基和/或羟基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司,未经陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造