[发明专利]用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体处理系统，其包括：

处理室，所述处理室包括：

下电极板；

上电极组件，所述上电极组件包括电介质上板，其设置在所述下电极板的上方并且基本上平行于所述下电极板，所述上电极组件具有形成为延伸穿过所述电介质上板的底面的气体供应通道；

成组的电介质升降销，其延伸穿过所述下电极板，以在所述下电极板和所述电介质上板之间的区域内以电隔离的方式支撑衬底，从而在所述下电极板的上表面和所述衬底的底面之间形成下处理区域,

配置为支撑所述下电极板的内基板，所述内基板由电介质材料形成；

配置为支撑和环绕所述内基板的外基板；

导管，所述导管被配置为延伸到所述室中至所述下处理区域；以及

远程等离子体源，所述远程等离子体源被配置为在所述室外部产生等离子体的反应成分并且使所述等离子体的反应成分通过所述导管流动到所述下处理区域，

其中所述外基板连接为从射频电源接收射频功率以在所述衬底边缘附近的区域中产生更多的等离子体的反应成分。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为使用射频功率来产生所述等离子体的反应成分。

3.根据权利要求2所述的半导体处理系统，其中，所述射频功率在约1千瓦至约10千瓦的范围内。

4.根据权利要求2所述的半导体处理系统，其中，所述射频功率在约5千瓦至约8千瓦的范围内。

5.根据权利要求2所述的半导体处理系统，其中，使用在约2兆赫兹至约60兆赫兹范围内的一个或多个射频信号来产生所述射频功率。

6.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为使用微波功率来产生所述等离子体的反应成分。

7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为使用射频功率和微波功率的组合来产生所述等离子体的反应成分。

8.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为电容耦合等离子体源。

9.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为电感耦合等离子体源。

10.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述远程等离子体源被配置为使用处理气体来产生所述等离子体的反应成分，所述处理气体以约0.1标准升每分钟至约5标准升每分钟的范围内的流速和约0.1托至约10托的范围内的压力来供应。

11.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其还包括：

连接用于向所述下电极板供应射频信号的射频电源。

12.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述上电极组件包括上电极板，其中，所述电介质上板位于所述上电极板与所述下电极板之间。

13.一种用于对衬底进行等离子体清洁的方法，其包括：

将衬底定位在处理室内的成组的电介质升降销上，所述成组的电介质升降销延伸穿过下电极板，以在所述下电极板和电介质上板之间的区域内以电隔离的方式支撑衬底，从而在所述下电极板的上表面和所述衬底的底面之间形成下处理区域；

在所述室外部的远程等离子体源内产生等离子体的反应成分；

使所述等离子体的反应成分通过导管流到所述下处理区域；以及

供应射频电源到外基板，所述外基板配置为支撑和围绕内基板，所述内基板由电介质材料形成并配置为支撑所述下电极，其中供应到所述外基板的射频电源在所述衬底的边缘附近的区域产生更多的等离子体的反应成分。

14.根据权利要求13所述的用于对衬底进行等离子体清洁的方法，其还包括：

使处理气体流到所述衬底的外周区域；

使净化气体流过所述上电极组件的中央位置到所述衬底的顶表面的中央位置，所述净化气体防止所述处理气体流向所述衬底的顶表面的中央位置；以及

向所述下电极板供应射频功率，所述射频功率将所述处理气体转化成暴露于所述衬底的外周区域的第二等离子体。