[发明专利]切换式电容器电路结构及控制其源极-漏极电阻的方法

权利要求书

1.一种切换式电容器电路结构，其包含：

包括栅极接端、源极接端、及漏极接端的切换晶体管，其中，该切换晶体管更包括：

耦合该源极接端至该漏极接端的通道区；

耦合至N型井区的背栅极接端；以及

置于该通道区与该N型井区之间的埋置型绝缘体层，使得该N型井区与该通道区分开；

耦合至该切换晶体管的该背栅极接端的偏压节点，该偏压节点可于导通状态与断开状态之间交替选择；

耦合至该切换晶体管的该源极接端的第一电容器；

耦合至该切换晶体管的该漏极接端的第二电容器；以及

耦合至该切换晶体管的该栅极接端的第一使能节点，该第一使能节点可于导通状态与断开状态之间交替选择。

2.如权利要求1所述的电路结构，其中，处于该导通状态的该偏压节点降低该切换晶体管的该栅极接端的临限电压。

3.如权利要求1所述的电路结构，其中，处于该导通状态的该偏压节点相对于处于该断开状态的该偏压节点，降低该切换晶体管的源极-漏极电阻。

4.如权利要求1所述的电路结构，其中，该第一电容器与第二电容器包含电压控制振荡器电路的部分或数字控制振荡器电路的部分。

5.如权利要求1所述的电路结构，更包含：

第一旁路晶体管，该第一旁路晶体管的源极及漏极耦合至该第一电容器的对置接端；以及

第二旁路晶体管，该第二旁路晶体管的源极及漏极耦合至该第二电容器的对置接端，

其中，该第一旁路晶体管包括耦合至第二使能节点的栅极，并且其中，该第二旁路晶体管包括耦合至该第二使能节点的栅极。

6.如权利要求5所述的电路结构，其中，该第一使能节点透过反相器耦合至该第二使能节点，使得处于该断开状态的该第一使能节点造成该第二使能节点处于导通状态，或处于该导通状态的该第一使能节点造成该第二使能节点处于断开状态。

7.如权利要求1所述的电路结构，更包含：

直接置于该第一电容器与该切换晶体管的该源极接端之间的第一节点，该第一节点耦合至第一节点晶体管的漏极；以及

直接置于该第二电容器与该切换晶体管的该漏极接端之间的第二节点，该第二节点耦合至第二节点晶体管的漏极，

其中，该第一节点晶体管的栅极及该第二节点晶体管的栅极耦合至该第一使能节点。

8.一种控制切换式电容器电路中源极-漏极电阻的方法，该方法包含：

对电路结构的偏压节点施加偏压，该电路结构包括：

包括栅极接端、源极接端、及漏极接端的切换晶体管，其中，该切换晶体管更包括：

耦合该源极接端至该漏极接端的通道区；

耦合该偏压节点至N型井区的背栅极接端；以及

置于该通道区与该N型井区之间的埋置型绝缘体层，使得该N型井区与该通道区分开；

耦合至该切换晶体管的该源极接端的第一电容器，以及

耦合至该切换晶体管的该漏极接端的第二电容器；

其中，施加该偏压使跨该切换晶体管的该源极端子与漏极接端的该第一电容器与第二电容器之间的源极-漏极电阻降低；以及

在对该切换晶体管的该背栅极接端施加该偏压期间，对该切换晶体管的该栅极接端施加使能电压。

9.如权利要求8所述的方法，其中，对该切换晶体管的该背栅极接端施加该偏压相对于未对该背栅极接端施加该偏压，使该切换晶体管的该栅极接端的临限电压进一步降低。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该电路结构更包括：

包括第一栅极的第一旁路晶体管，该第一旁路晶体管的源极及漏极耦合至该第一电容器的对置接端，以及

包括第二栅极的第二旁路晶体管，该第二旁路晶体管的源极及漏极耦合至该第二电容器的对置接端，

其中，对该切换晶体管的该栅极接端施加该使能电压更包括对该第一旁路晶体管与第二旁路晶体管的该第一栅极与第二栅极施加该使能电压的反相。