[发明专利]用于电容式微加工超声换能器的偏置控制

权利要求书

1.一种系统，包括：

电容式微加工超声换能器CMUT阵列，其具有多个电容式微加工超声换能器CMUT元件，所述电容式微加工超声换能器CMUT元件中的各个电容式微加工超声换能器CMUT元件包括：

对应于所述阵列的第一偏置可控区域的第一子电极，

对应于所述阵列的第二偏置可控区域的第二子电极，以及

所述第一子电极与所述第二子电极之间的第三子电极，所述第三子电极对应于所述阵列的第三偏置可控区域；

偏置电压源，所述偏置电压源用于将偏置电压供应至所述第一、第二、以及第三子电极；以及

处理器，所述处理器被配置成控制所述偏置电压的施加，以在使用所述电容式微加工超声换能器CMUT阵列以进行成像期间将第一偏置电压施加到所述第三子电极并将第二偏置电压施加到所述第一与第二子电极，其中，所述第一偏置电压是以下各项中的至少一项：

以与所述第二偏置电压不同的电压进行施加，或者

以与所述第二偏置电压不同的时序进行施加。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述处理器进一步被配置成，施加所述第一偏置电压或所述第二偏置电压中的至少一个作为偏置电压，所述偏置电压执行以下各项中的至少一项：

随着时间保持恒定，或者

随着时间增加。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述处理器被进一步配置成：

在第一时间点处，以以下各者中的至少一者施加所述第一偏置电压：

恒定的偏置电压，或者

随着时间增加的递增偏置电压；以及

在第二时间点处，开始以以下各者中的至少一者施加所述第二偏置电压：

恒定的偏置电压，或者

随着时间增加的递增偏置电压，

其中，所述第二时间点晚于所述第一时间点。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述处理器被进一步配置成：以随着时间增加的单调递增电压施加所述第一偏置电压或所述第二偏置电压，其中，所述第二偏置电压比所述第一偏置电压随着时间增加得更快。

5.如权利要求1所述的系统，其特征在于：

所述各个电容式微加工超声换能器CMUT元件进一步包括：

第四子电极，所述第四子电极在所述第一子电极的与所述第三子电极相对的一侧上邻近所述第一子电极，所述第四子电极对应于所述阵列的第四偏置可控区域；

第五子电极，所述第五子电极在所述第二子电极的与所述第三子电极相对的一侧上邻近所述第二子电极，所述第五子电极对应于所述阵列的第五偏置可控区域；以及

所述处理器被进一步配置成：在使用所述电容式微加工超声换能器CMUT阵列以进行成像期间将第三偏置电压施加到所述第四以及第五子电极，其中，所述第三偏置电压是以下各项中的至少一项：

以与所述第二偏置电压以及所述第一偏置电压不同的电压进行施加，或者

以与所述第二偏置电压以及所述第一偏置电压不同的时序进行施加。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述处理器被进一步配置成通过以下步骤来控制所述阵列的垂直变迹分布：

在第一时间处，以随着时间增加的递增电压施加所述第一偏置电压；

在所述第一时间处，以随着时间增加的递增电压施加所述第二偏置电压，其中，在所述第一时间处，所述第一偏置电压大于所述第二偏置电压；以及

在晚于所述第一时间的第二时间处，以随着时间增加的递增电压施加所述第三偏置电压，其中，在所述第二时间处，所述第一偏置电压以及所述第二偏置电压大于所述第三偏置电压。

7.如权利要求5所述的系统，其特征在于：

所述第一子电极和所述第二子电极彼此电连接；并且

所述第四子电极和所述第五子电极彼此电连接。