[发明专利]具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装器件，包括：

热机电(TEM)芯片，具有功能电路；

第一管芯，附接至所述热机电芯片的第一侧面；

第一通孔，位于所述热机电芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述热机电芯片；

第一模制层，围绕所述热机电芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐；以及

第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯；

其中，所述热机电芯片具有下部和顶部，所述顶部靠近所述第一侧面，所述下部包括块状材料且所述下部的厚度大于所述热机电芯片的总厚度的90％，所述功能电路位于所述顶部中且所述顶部的厚度小于所述热机电芯片的总厚度的10％，

所述半导体封装器件，还包括：

第二通孔，位于所述第一模制层中，并且从所述第一模制层的上表面延伸至所述第一模制层的与所述上表面相对的下表面，其中，所述第二通孔电连接至所述第一再分布层和位于所述热机电芯片的第二侧面上的第二再分布层，

左右并列的第二管芯，电连接至所述第二再分布层，其中，所述第二再分布层位于所述第二管芯和所述热机电芯片之间；以及

第三通孔，位于围绕所述第二管芯的第二模制层中，并且电连接至所述第二再分布层，所述第三通孔具有比所述第二通孔宽的宽度，

其中，所述热机电芯片用于集成先前由表面器件集成的无源元件，所述半导体封装器件的表面区域的表面器件占用的所述半导体封装器件的表面积减小到5mm²至20mm²。

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，自上而下观看时，所述第一管芯设置在所述热机电芯片的横向边界内，并且所述热机电芯片具有1:1的纵横比，且所述第一管芯具有大于1:1的纵横比。

3.根据权利要求2所述的半导体封装器件，其中，所述块状材料包括块状硅。

4.根据权利要求1所述的半导体封装器件，还包括：

第三再分布层，位于所述第二模制层的上表面上，其中，所述第三通孔电连接至所述第三再分布层和所述第二再分布层之间，

第三管芯电连接至所述第三再分布层，其中，第三再分布层位于所述左右并列的第二管芯和所述第三管芯之间，

第三模制层围绕所述第三管芯，

第四通孔，位于所述第三模制层中，与所述第三管芯相邻，其中所述第四通孔延伸穿过所述第三模制层，且电连接至所述第三再分布层，其中，所述第四通孔具有比所述第三通孔宽的宽度，其中所述第三通孔的侧壁设置在所述第四通孔相对的侧壁之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装器件，

其中，所述热机电芯片的表面区域为附接至所述热机电芯片的表面所有管芯的表面区域的总和的1.1至5倍。

6.根据权利要求5所述的半导体封装器件，还包括：

半导体封装件，位于所述热机电芯片的第二侧面上并且通过所述半导体封装件的外部连接件电连接至所述第二再分布层；以及

多个导电凸块，位于所述第一再分布层上方并且电连接至所述第一再分布层。

7.根据权利要求5所述的半导体封装器件，其中，所述表面器件为表面安装器件或包括无源器件的集成无源器件。

8.根据权利要求1所述的半导体封装器件，还包括：

半导体封装件，具有外部连接件，其中，所述半导体封装件的所述外部连接件电连接至所述第三通孔，其中，所述第二模制层位于所述半导体封装件和所述第二再分布层之间；以及

导电凸块，位于所述第一再分布层上方并且电连接至所述第一再分布层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装器件，还包括：

第三再分布层，位于所述第二模制层上，并且介于所述半导体封装件和所述第二模制层之间，所述第三再分布层电连接至所述第三通孔，其中，所述半导体封装件的所述外部连接件通过所述第三再分布层与所述第三通孔电连接。