[发明专利]一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器有效

专利信息
申请号: 201710587303.1 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN107331776B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 吴双红;杨俊杰;吴家尊;毛盛;魏雄邦;陈志 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 代理人: 徐金琼;刘东<国际申请>=<国际公布>=
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电荷 转移 复合物 新型 有机 红外 光电 探测器
【权利要求书】:

1.一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,从下到上依次包括衬底阳极(1)、空穴传输层(2)、近红外吸收有源层(3)、电子传输层(4)、阴极(5);所述近红外吸收有源层(3)由两种或两种以上易产生电荷转移而形成电荷转移复合物的材料构成,所述近红外吸收有源层的材料为PVK:DCJTB或者PVK:DCJTB:C60,所述空穴传输层(2)的厚度为10-40nm;所述近红外吸收有源层(3)的厚度为30-120nm;所述电子传输层(4)的厚度为20-50nm;所述阴极(5)的厚度为80-150nm。

2.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述近红外吸收有源层(3)为体异质结结构或者混合平面体异质结结构,该层使用旋涂法或真空蒸发镀膜法制备。

3.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述衬底阳极(1)为ITO玻璃层,ITO玻璃层作为透光面。

4.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述空穴传输层(2)由具有高空穴迁移率并且具有与ITO阳极能级匹配的较高HOMO能级的材料构成,其材料为PEDOT:PSS、MoO3符合要求的材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述电子传输层(4)由具有高电子迁移率的材料构成,其材料为C60、PC61BM符合要求的材料。

6.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述近红外吸收有源层(3)的材料为PVK:DCJTB、PVK:DCJTB:C60具有电荷转移复合物吸收的材料。

7.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述阴极(5)为金属电极,金属电极为铝、银、镁银合金、金,金属电极采用真空蒸发镀膜、电子束蒸发或磁控溅射方法制备。

8.根据权利要求1所述的一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器,其特征在于,所述电子传输层(4)与空穴传输层(2)的制备,使用旋涂法或真空蒸发镀膜方法制备。

9.一种基于电荷转移复合物的新型有机近红外光电探测器的制备方法,其特征为:

步骤1:用无尘布和洗涤剂反复擦拭ITO玻璃,并用自来水冲洗干净,然后再分别用丙酮、乙醇和去离子水超声各15分钟,使用氮气吹干后在真空烘烤箱中烘干;

步骤2:再用紫外臭氧处理15分钟,接着在ITO玻璃表面旋涂一层40nm厚的空穴传输层(2),放在真空烘箱中在120℃下烘烤20分钟;

步骤3:再在空穴传输层(2)上旋涂120nm厚的近红外吸收有源层(3);

步骤4:接着真空蒸镀30nm的电子传输层(4);

步骤5:最后在电子传输层(4)上4*10-4Pa的真空条件下蒸镀150nm厚的阴极(5),即得到基于电荷转移复合物新型有机近红外光电探测器。

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