[发明专利]一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层，RIE刻蚀采用干法刻蚀机，由射频发生器将反应气体离化，离子与硅片发生作用，所述的反应气体为SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的体积分数为20-30％，O₂的体积分数为40-60％，Cl₂的体积分数为10-40％，反应时间为60-200S；

2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；

3)用HF-HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；

4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，RIE刻蚀采用干法刻蚀机，由射频发生器将反应气体离化，离子与硅片发生作用，所述的反应气体为SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的体积分数为20-30％，O₂的体积分数为40-60％，Cl₂的体积分数为10-40％，反应时间为60-200S，制备纳米级的绒面；

5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。

2.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述的晶硅太阳能电池为多晶硅太阳能电池。

3.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤2)中的表面腐蚀液由HF、HNO₃和DI水配制而成，腐蚀液中HF的体积分数为10-30％，HNO₃的体积分数为30-60％，DI水的体积分数为10-60％，腐蚀温度为5-10℃，腐蚀时间为70-150S。

4.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤3)中的HF-HCl混酸药液由HF、HCl和DI水配制而成，混酸药液中HF的体积分数为10-30％，HCl的体积分数为15-40％，DI水的体积分数为30-75％，反应时间为50-120S。

5.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤5)中的清洗液由BOE、H₂O₂和DI水配制而成，所述BOE成分包括NH₄F、HF，清洗液中BOE的体积分数为5-20％，H₂O₂的体积分数为15-40％，DI水的体积分数为40-75％，清洗温度为30-50℃，清洗时间为100-200S。

6.如权利要求5所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述BOE中NH₄F与HF的体积比为6:1。