[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，所述隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；

在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的第一鳍侧墙；

形成第一鳍侧墙后，在第一区的隔离层上形成第一介质层，第一介质层覆盖第一鳍侧墙侧壁且暴露出第一鳍部第一置换区的顶部表面；

形成第一介质层后，去除第一鳍侧墙覆盖的第一置换区，形成由第一鳍侧墙包围的第一槽；

刻蚀第一槽内壁的第一鳍侧墙以增大第一槽的开口，形成第二槽；

在第二槽中形成第一掺杂层；

形成第一掺杂层后，在第一掺杂层和底层介质层上形成第二介质层，第二介质层和第一介质层构成层间介质层；

形成贯穿层间介质层的第一沟槽，第一掺杂层和第一鳍侧墙位于第一沟槽的底部；

形成第一沟槽后，去除第一鳍侧墙，暴露出第一掺杂层的侧壁表面和顶部表面；

去除所述第一鳍侧墙后，在所述第一沟槽及第一掺杂层的侧壁表面和顶部表面形成金属层；

在所述金属层的表面形成阻挡层；

进行退火工艺，使所述第一掺杂层的侧壁表面和顶部表面的金属层和所述第一掺杂层表面材料反应形成第一金属硅化物层；

在所述第一沟槽中形成第一插塞，所述第一插塞和第一掺杂层电学连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第一鳍侧墙覆盖的第一置换区以形成第一槽的工艺为干刻工艺。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀第一鳍侧墙的内壁以增大第一槽的开口的工艺为湿刻工艺。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀第一槽内壁的第一鳍侧墙之前，所述第一鳍侧墙具有第一厚度，第一厚度为3nm～10nm；在刻蚀第一槽内壁的第一鳍侧墙之后，所述第一鳍侧墙具有第二厚度，第二厚度为第一厚度的50％～99％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍侧墙的材料为SiN、SiCN、SiBN或SiON；所述第一鳍部的材料为单晶硅或单晶锗硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的工艺包括外延生长工艺。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层暴露出的第一鳍部还包括第一非置换区，第一置换区与第一非置换区邻接且位于第一非置换区两侧，自第一置换区至第一非置换区的方向平行于第一鳍部的延伸方向；所述半导体器件的形成方法还包括：在形成所述第一鳍侧墙之前，在半导体衬底和隔离层上形成第一栅极结构，第一栅极结构横跨第一鳍部的第一非置换区、覆盖第一鳍部第一非置换区的顶部表面和侧壁表面；形成所述第一掺杂层后，第一掺杂层分别位于第一栅极结构两侧的第一鳍部中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一栅极结构的顶部表面还具有第一栅保护层；所述半导体器件的形成方法还包括：在形成第一鳍侧墙的过程中在第一栅极结构侧壁形成第一栅侧墙；以第一栅保护层、第一栅侧墙和第一鳍侧墙为掩膜在第二槽中形成第一掺杂层。