[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁；在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层，并在所述层间介电层中形成反转接触孔；以绝缘材料填充所述反转接触孔；去除待形成源漏接触孔区域的所述层间介电层以形成源漏接触孔，其中部分间隙壁中的氧化层被去除而在间隙壁中形成空隙；在所述间隙壁上形成保护层，所述保护层填充满所述空隙；以导电材料填充所述接触孔以形成源漏接触。该制作方法可以克服栅极间隙壁顶部的反转接触刻蚀停止层被去除导致的栅极与源/漏之间的击穿电压降低的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

随着可携式个人设备的流行，对存储器的需求进一步的增加，对存储器技术的研究成为了信息技术研究的重要方向，为了更好地提高存储密度和数据存储的可靠性，研发重点逐渐主要集中在非挥发性存储器(NVM，non-volatile memory)。NOR(“或非”型电子逻辑门)型快闪存储器能够以随机存取的方式来被读取或者被程式化，并由于其非易失性(non-volatility)、耐久性(durability)以及快速的存取时间而在移动装置中被广泛地使用。

自对准反转接触技术适于45nm的NOR器件，在自对准反转接触制作中，用作自对准反转接触停止层的氮化硅层位于栅极间隙壁氧化物上的部分在层间介电层平坦化时会被过研磨去除，这导致栅极间隙壁中(间隙壁一般为氧化物-氮化物-氧化物结构)的衬垫氧化物在通过湿法工艺形成反转接触的过程中也暴露在氢氟酸下，使得间隙壁顶部的衬垫氧化物被去除，如图1中虚线区域所示，这会使得栅极和源/漏之间的击穿电压变低，甚至在当钨和钛/氮化钛等填充间隙(衬垫氧化物去除后形成的间隙和反转接触孔)之后导致漏电流。

因此，需要提出一种新的半导体器件的制作方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件的制作方法，可以克服栅极间隙壁顶部的反转接触刻蚀停止层被去除导致的栅极与源/漏之间的击穿电压降低的问题。

本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁，所述间隙壁至少包括一层氧化层；

形成覆盖所述半导体衬底和所述堆叠栅的反转接触刻蚀停止层；

在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层；

以所述反转接触刻蚀停止层为停止层刻蚀所述层间介电层以在所述层间介电层中形成反转接触孔；

以绝缘材料填充所述反转接触孔；

去除待形成源漏接触孔区域的所述层间介电层以形成源漏接触孔，其中部分所述间隙壁中的氧化层被去除而在所述间隙壁中形成空隙；

在所述间隙壁上形成保护层，所述保护层填充满所述空隙；

以导电材料填充所述接触孔以形成源漏接触。

优选地，所述间隙壁包括依次层叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层。

优选地，所述层间介电层包括初始层间介电层和位于所述初始层介电层之上的氧化层盖层。

优选地，所述去除待形成源漏接触孔区域的所述层间介电层以形成源漏接触孔包括：