[发明专利]金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法

说明书

本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法，上述金属膜蚀刻液组合物包含A)过氧化氢(H₂O₂)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂，从而具有使随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间(End Point Detection；EPD)、侧蚀(Side etch)、锥角(Taper angle)的变化量最小化的效果。

技术领域

本发明涉及一种金属膜蚀刻液组合物及使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。

背景技术

半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂覆、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用金属膜蚀刻液组合物的湿式蚀刻。

一般而言，液晶显示装置包含由薄膜晶体管基板、滤色器基板、以及注入在两基板之间的液晶层形成的液晶面板。

液晶层由印刷在两基板的边缘四周且包围液晶层的封止剂结合。由于液晶面板为非发光元件，因此在薄膜晶体管基板的后面设有背光单元。背光所照射的光根据液晶分子的排列状态而调节透光量。

为了向液晶层传递信号，薄膜晶体管基板上形成有配线。薄膜晶体管基板的配线包括栅极配线和数据配线。

这里，栅极配线包含施加栅极信号的栅极线和薄膜晶体管的栅电极，数据配线包含与栅极配线绝缘而施加数据信号的数据线和构成薄膜晶体管的数据电极的漏电极和源电极。

这样的配线可以由金属单层或合金单层构成，但为了弥补各金属或合金的缺点而获得期望的物性，也可以由多层形成。

蒸镀在基板材料上的多层是通过蚀刻而图案化为配线。就蚀刻而言，有干式蚀刻和湿式蚀刻，多使用能够均匀蚀刻且生产率高的湿式蚀刻。

韩国公开专利公报第10-2007-0055259号提出了可以蚀刻铜钼合金膜的蚀刻溶液及其蚀刻方法，但未能够解决随处理张数增加而导致的蚀刻(Etch)性能减低，并且侧蚀(Side etch)、蚀刻结束所需时间(End Point Detection；EPD)、锥角(Taper angle)变化量增加的现象。

为了解决上述问题，本申请人开发了用于在制造显示装置用阵列基板时将金属薄膜及厚膜一并蚀刻且解决随处理张数增加而导致的上述问题的组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国公开专利公报第10-2007-0055259号

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供以往蚀刻液(Etchant)的处理张数变化量得到提高，且随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间(END POINT DETECTION；EPD)、侧蚀(Sideetch)、锥角(Taper angle)变化量小的可一并蚀刻金属膜的金属膜蚀刻液组合物。

此外，本发明的目的在于，提供可一并蚀刻金属膜或铜系金属膜的金属膜蚀刻液组合物，其包含过氧化氢(H₂O₂)、含氟化合物、5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)、咪唑(Imidazole)、亚氨基二乙酸(Iminodiacetic acid)、硫酸盐和水。

此外，本发明的目的在于，提供使用上相同的金属膜或铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻金属膜或铜系金属膜的蚀刻方法。