[发明专利]SiC欧姆接触结构及其制作方法

权利要求书

1.一种SiC欧姆接触结构的制作方法，其特征在于，包括：

(a)制作SiC衬底；包括：

(a1)选取4H-SiC衬底并对所述4H-SiC衬底进行标准RCA清洗；

(a2)利用PECVD工艺，在所述4H-SiC衬底表面淀积厚度为100nm的氧化层；

(a3)刻蚀所述氧化层形成离子注入窗口，利用离子注入工艺，对所述4H-SiC衬底表面进行N+、P+离子注入形成N型掺杂区和P型掺杂区；

(a4)刻蚀掉剩余的氧化层，并进行第二退火处理；

(b)利用掩膜版对所示衬底表面进行光刻，形成CTLM图形；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi₂层和Pt层；其中，所述第一Ni层、Ti层、第二Ni层均采用直流磁控溅射工艺淀积；

(c)进行第一退火处理以完成所述SiC欧姆接触结构的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(a3)中所述N型掺杂区的掺杂源为Al，掺杂浓度为1.0×10²⁰cm^-3；所述P型掺杂区的掺杂源为N，掺杂浓度为3.0×10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(a4)中所述第二退火处理的温度为1700℃,退火时间为30min。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(b)中在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层包括：

(b1)利用直流磁控溅射工艺，在所述衬底表面淀积所述第一Ni层；所述直流磁控溅射工艺的淀积功率为100W、淀积速率为9.8nm/min；

(b2)利用直流磁控溅射工艺，在所述第一Ni层表面淀积所述Ti层；所述直流磁控溅射工艺的淀积功率为100W、淀积速率为2.9nm/min；

(b3)利用直流磁控溅射工艺，在所述Ti层表面淀积所述第二Ni层；所述直流磁控溅射工艺的淀积功率为100W、淀积速率为9.8nm/min；

(b4)利用射频磁控溅射工艺，在所述第二Ni层表面淀积所述TaSi₂层；所述射频磁控溅射工艺的淀积功率为60W、淀积速率为2.9nm/min；

(b5)利用直流磁控溅射工艺，在所述TaSi₂层表面淀积所述Pt层；所述直流磁控溅射工艺的淀积功率为100W、淀积速率为2.9nm/min。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，淀积时的磁控溅射腔的腔内真空度≤5e^-6mTorr。

6.根据权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述第一Ni层厚度为30nm、所述Ti层厚度为100nm、所述第二Ni层厚度为30nm、所述TaSi2层厚度为300nm以及所述Pt层厚度为200nm。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(c)中第一退火工艺中的退火温度为975℃，退火时间为2min。

8.一种SiC欧姆接触结构，其特征在于，包括：SiC衬底，以及依次设置于所述SiC衬底上的第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层；其中，所述欧姆接触结构由权利要求1～7任一项所述的方法制作形成。