[发明专利]一种石英坩埚涂层及其制备方法和用途在审
申请号: | 201710583658.3 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107400922A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 张涛;孙鹏;陈骏 | 申请(专利权)人: | 镇江仁德新能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06;C03C17/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 陈国强 |
地址: | 212200 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 坩埚 涂层 及其 制备 方法 用途 | ||
技术领域
本发明涉及一种石英坩埚的涂层及其制备方法,应用于太阳能发电用硅晶体的生长过程,尤其适用于多晶硅铸锭过程。
背景技术
目前太阳能发电用多晶硅主要采用定向凝固的铸造方法,在铸造过程中,高纯硅料放置在石英坩埚内,通过加热使其完全融化;然后通过降温造成一定的温度梯度,使硅熔液沿着某特定方向定向凝固。为了顺利取出凝固在石英坩埚中的多晶硅锭,避免硅液在凝固过程中黏附在坩埚上造成坩埚和硅锭破裂,需要在坩埚内壁涂覆一层脱模剂。目前主要采用氮化硅和水的混合溶液通过喷涂的方法制备该脱模剂。由于喷涂液水含量高、干燥时涂层收缩大,所用氮化硅熔点高、难以烧结致密等原因,脱模剂涂层在装料以及高温熔体流动过程中容易脱落进入硅料内部,导致凝固后的硅晶体中存在氮化硅以及伴生的碳化硅杂质点。这些杂质点在硅片切割时,容易造成硅片线痕不良、切割跳线等问题,严重时会造成切割断线。
相比砂浆切割,金刚线切割通常采用更细的钢线,切割速度也明显提高。因此,上述氮化硅、碳化硅硬质点造成的跳线、断线问题在金刚线切割中会更加突出。另外,由于金刚线表面存在一层金刚石镀层,在切割过程中一旦断线就很难焊接挽救,断线后往往整刀硅片报废,经济损失巨大。因此,解决涂层脱落减少硬质点变得非常必要和紧迫。
发明内容
本发明的目的是提供一种石英坩埚涂层及其制备方法和用途,以解决现有技术中存在的坩埚涂层脱落导致硬质点的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种石英坩埚涂层的制备方法,包括以下步骤:
(1)在坩埚涂层的喷涂液中,加入烧结助剂,混合充分,然后喷涂于坩埚内表面上,形成涂层;
(2)待涂层干燥后,对带有涂层的坩埚内表面进行加热,使其形成致密涂层。
步骤(1)中,所述烧结助剂为氧化硅、氧化铝、氧化锂、或稀土元素的氧化物的一种或多种的混合,或者为在高温下能够分解生成这些物质的氢氧化物或碳酸化合物。
所述烧结助剂的形态为粉体,优选的,烧结助剂的纯度为99%-99.999%,粒度为100nm-1mm。
所述烧结助剂的添加量为喷涂液的0.5-50wt%。
步骤(2)中,带有涂层的坩埚内表面的加热方式为电弧加热或者电阻丝加热。加热温度为600-1700℃,时间在60min之内。
步骤(2)中,涂层干燥后,也可以不采用上述加热方式,可以直接向坩埚内装填硅料,并将其放入晶体生长炉内进行加热融化和降温凝固,直接利用晶体生长过程中的热量,对坩埚涂层进行加热并形成致密涂层。
一种上述方法制备得到的石英坩埚涂层。
本发明的石英坩埚涂层用于多晶硅铸锭的用途。
将所述石英坩埚涂层喷涂于不完全致密的熔融石英陶瓷坩埚,或者致密的石英玻璃坩埚的内表面。
有益效果:本发明通过在坩埚涂层喷涂液中添加烧结助剂,通过高温过程使烧结助剂形成玻璃相,这些玻璃相粘结氮化硅粉体进而在坩埚表面形成致密涂层。这些致密涂层既可以起到脱模作用,也可以防止涂层脱落进入硅晶体中形成硬质点,进而降低多线切割、尤其是金刚线切割时的线痕不良和断线风险。
含有玻璃相的致密涂层还可以起到吸附坩埚中的金属杂质、阻挡碳氧杂质进入熔体的作用,提高晶体硅的纯度和电性能。这对单晶硅生长及其所用的石英坩埚也同样适用。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做更进一步的解释。
下述实施例中,所用的喷涂液为现有技术中采用的氮化硅和水的混合溶液。
实施例1
步骤一,在坩埚涂层的喷涂液中,加入喷涂液质量20wt%的烧结助剂,混合充分,然后喷涂于坩埚内表面上,形成涂层;
其中,烧结助剂为为氧化硅、氧化铝、氧化锂、或氧化钇等稀土元素的氧化物的一种或多种的混合,或者为在高温下能够分解生成这些物质的氢氧化物或碳酸化合物,如氢氧化铝、氢氧化钇、碳酸锂等。烧结助剂的形态为粉体,其纯度为99%-99.999%,粒度为100nm-1mm。
步骤二,待涂层干燥后,对带有涂层的坩埚内表面进行加热,使其形成致密涂层。加热温度在为1200℃,时间在60min之内;加热方式为电弧加热。
步骤三,向石英坩埚内装填硅料,并将其放入晶体生长炉内进行加热融化和降温凝固。待温度下降至出炉温度后,将其取出进行脱模,获得晶体硅锭。
实施例2
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江仁德新能源科技有限公司,未经镇江仁德新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710583658.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外延设备保养方法
- 下一篇:一种增强金刚石热导率的方法