[发明专利]晶圆传递模块及传递晶圆的方法有效
申请号: | 201710582044.3 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN109273391B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 王林伟;任勇彰;陈政廷;张正峰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;G01L1/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传递 模块 方法 | ||
本公开实施例提供一种晶圆传递模块及传递晶圆的方法。晶圆传递模块包括一驱动组件。晶圆传递模块还包括一载片。载片设置于驱动组件上且包括一延伸部。延伸部沿一延伸方向自一第一端延伸至一第二端并按序包括一第一段部、一第二段部及一第三段部。该第一段部与该第二段部配置用于承载该晶圆,且该第二段部与该第三段部的交界与该第一端的距离大于该晶圆的宽度。晶圆传递模块也包括一末端压力感测器。末端压力感测器设置于载片的第三段部之上并配置用于感测一压力并根据所感测的压力发出电子信号。本公开实施例可以避免晶圆掉片、晶圆刮伤或机台被偏移的晶圆传递模块碰撞等问题,以有效提高晶圆制造的良率。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种用于传递半导体晶圆的晶圆传递模块与传递半导体晶圆的方法。
背景技术
半导体装置被用于多种电子应用,例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料,并通过包括光刻 (lithography)制程及微影制程等程序将各种材料层图案化,以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。通常数十个或数百个集成电路是在一个半导体晶圆上进行制造。
在集成电路制程中,随着对产量及良率与日渐增的需求,而发展出高度专业化与自动化的系统来传递晶圆。晶圆通常储存在卡匣(Cassette)内,且根据不同制程,例如溅镀(Sputtering)制程、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)制程、微影(Photolithography)制程、或蚀刻制程、化学电镀 (ECP)制程、化学机械研磨(CMP)制程等,需不同反应室或反应槽。而在各个卡匣与制程反应室间,便需使用晶圆传递模块(Robot)来传递晶圆。
然现有的晶圆传递技术及设备已经足以应付其需求,然而仍未全面满足。因此,需要提供一种改善晶圆传递的方案。
发明内容
本发明的实施例提供一种晶圆传递模块。晶圆传递模块包括一驱动组件。晶圆传递模块还包括一载片。载片设置于驱动组件上且包括置用于承载晶圆的一延伸部。延伸部自一第一端沿一延伸方向延伸至一第二端。晶圆传递模块也包括多个压力感测器。压力感测器设置于载片的延伸部之上并配置用于感测一压力并根据所感测的压力发出电子信号。
本发明的实施例提供一种传递一晶圆的方法。传递晶圆的方法包括沿一既定路径移动一晶圆传递模块的一载片。传递晶圆的方法还包括根据晶圆传递模块的多个压力感测器所产生的信号判断晶圆传递模块的状况是否有异常发生。传递晶圆的方法也包括当晶圆传递模块的状况判定为异常时,停止移动晶圆传递模块的载片。
附图说明
图1A显示根据本发明部分实施例的一传递系统以及一半导体制程机台的示意图,其中晶圆载具的门板尚未开启。
图1B显示根据本发明部分实施例的一传递系统以及一半导体制程机台的示意图,其中晶圆载具的门板已开启并连通至半导体制程机台的前腔室。
图2显示根据本发明部分实施例的晶圆载具的示意图。
图3显示根据本发明部分实施例的晶圆传递模块的载片的示意图。
图4显示根据本发明部分实施例的制程室的上视图。
图5显示根据本发明部分实施例的传递晶圆的方法的流程图。
图6显示根据本发明部分实施例的传递晶圆的方法的步骤示意图,其中晶圆传递模块的载片进入晶圆载具内。
图7显示根据本发明部分实施例的传递晶圆的方法的步骤示意图,其中晶圆传递模块的载片进入制程室内。
图8显示根据本发明部分实施例的传递晶圆的方法的流程图。
图9显示根据本发明部分实施例的传递晶圆的方法的步骤示意图,其中晶圆传递模块的载片放置有一晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造