[发明专利]配体修饰量子点组合物及其制备方法、量子点发光二极管

权利要求书

1.一种配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

(1)在基板上形成配体修饰量子点组合物；所述量子点组合物包括量子点，以及吸附于所述量子点表面的配体修饰剂，其中，所述配体修饰剂的结构式为链段A-链段B，所述配体修饰剂以链段A吸附于量子点表面；所述链段B为可断链的长分子链；所述链段B包括以下基团中的任意一种或几种：偶氮基团、过氧基团、过氧化二酰基团；

(2)加热或光照以使配体修饰剂链段B断链后形成配体修饰量子点层。

2.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述配体修饰量子点组合物为墨水，所述量子点组合物的粘度为8-15cP，所述配体修饰量子点组合物的表面张力为20-40mN/m。

3.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述量子点包括III-V族量子点、IV族量子点、II-VI族量子点、核壳型量子点、合金量子点中的任意一种或几种。

4.根据权利要求3所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS₂、ZnO、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPhI₃、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge、C中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述链段A中包括以下基团：氨基、巯基、羟基、多氨基、多巯基、多羟基、磷、氧磷、有机磷、硫醚中的任意一种或几种。

6.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述链段B包括逐一连接的R1基团、R2基团、R3基团，其中，R1基团与链段A连接，所述R2基团可断裂。

7.根据权利要求6所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述R2基团包括光降解或热降解的基团。

8.根据权利要求6所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述R1基团包括以下基团中的任意一种或几种：芳香基团、乙基、丁基、环己基、甲氧基、甲胺基脂肪链、环氧丙烷基、环己基脂环族化合物；R3包括以下基团中的任意一种或几种：芳香基团，及乙基、丁基、环己基、甲氧基、甲胺基脂肪链、环氧丙烷基、环己基脂环族化合物。

9.根据权利要求8所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述芳香基团包括苯基、烷基苯基、噻吩基、嘧啶基、苯胺基，萘，苯氧基中的任意一种或几种。

10.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

在溶剂中第一配体修饰剂存在的条件下合成第一配体修饰的量子点；

向上述第一配体修饰的量子点中加入第二配体修饰剂，其中，所述第二配体修饰剂的结构式为：链段A-链段B，所述链段B为可断链的长分子链，所述第二配体修饰剂与第一配体置换，以使第二配体修饰剂的链段A吸附于所述量子点表面得到第二配体修饰的量子点；所述链段B包括以下基团中的任意一种或几种：偶氮基团、过氧基团、过氧化二酰基团；

将第二配体修饰的量子点与所述第一配体分离。

11.根据权利要求10所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，所述第一配体修饰剂包括油酸，所述溶剂包括十八烯。

12.根据权利要求1所述的配体修饰量子点层的制备方法，其特征在于，步骤(2)中还包括加入自由基捕捉剂的步骤。