[发明专利]制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列

说明书

一种制备Bi(Al_xGa_1‑x)O₃薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(Al_xGa_1‑x)O₃薄膜生长厚度的精确可控。

技术领域

本发明涉及一种制备Bi(Al_xGa_1-x)O₃薄膜的气体脉冲序列。

背景技术

本申请是申请号为CN201510766708.2的分案申请。

近年来，Baettig从理论上预言了Bi(Al_xGa_1-x)O₃(铝酸铋，简写为BAG)具有与Pb(Zr_1-xTi_x)O₃同样优异的铁电和介电性能，由于BAG为无铅材料，使其成为PZT的潜在替换者。然而目前尚未有成熟的Bi(Al_xGa_1-x)O₃材料的制备技术。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于提供一种可精确控制薄膜厚度的时空分离式自限制性表面吸附反应制备的Bi(Al_xGa_1-x)O₃薄膜材料的方法，所述的Bi(Al_xGa_1-x)O₃薄膜材料的空间群为Pcca。实现本发明目的具体技术方案是：

一种Bi(Al_xGa_1-x)O₃薄膜材料的制备方法，该方法原料采用有机铋源、氧前驱体、有机铝源、有机镓源。

所述Bi(Al_xGa_1-x)O₃薄膜材料的制备方法，采用专门设计的装置来完成。

所述装置包括但不限于：有机铋源容器1、有机铋源管路手动阀K1、有机铋源管路自动阀AK1、有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1、有机铝源容器2、有机铝源管路手动阀K2、有机铝源管路自动阀AK2、有机铝源载气管路质量流量控制器MFC2、有机镓铝源容器3、有机镓源管路手动阀K3、有机镓源管路自动阀AK3、有机镓源载气管路质量流量控制器MFC3、氧前驱体源容器4、氧前驱体管路手动阀K4、氧前驱体管路自动阀AK4、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC4、惰性气体容器5、惰性气体管路手动阀K5、真空反应腔、真空计、真空泵、真空泵进气口自动阀门AK5、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器，设备控制器可以是由PLC或FPGA或CPLD或单片机系统或计算机或专门设计的电路系统构成；有机铋源容器1、有机铝源容器2、氧前驱体源容器3的容器均设有电加热器和半导体制冷器；