[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

第一裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一粘合剂层，其安置于所述第一裸片的所述第一表面上；

囊封剂层，其囊封所述第一裸片和所述第一粘合剂层；

第一导电通孔，其安置在所述第一粘合剂层中且电连接到所述第一裸片；

第一导电层，其安置于所述第一裸片的所述第二表面上；

第二导电通孔，其安置于所述囊封剂层中，且与所述第一导电层电连接；以及

图案化导电层，其安置于所述囊封剂层上，所述第二导电通孔藉由所述图案化导电层电连接到所述第一导电通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层覆盖所述第一裸片的大体上整个第二表面，其中所述第一导电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面且从所述囊封剂层暴露，所述第一导电层的所述第一表面直接接触所述第一裸片的所述第二表面，且所述第一导电层的所述第二表面与所述囊封剂层的第一表面大体上共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述导电层覆盖所述囊封剂层的大体上整个表面。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述第一导电层上的第二裸片，其中所述第二裸片电连接到所述第一导电通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述囊封剂层上的第二裸片，其中所述第二裸片电连接到所述第一导电通孔。

6.一种半导体封装装置，其包括：

功率装置，其包括第一导电垫；

粘合剂层，其安置于所述功率装置上；

封装本体，其囊封所述功率装置和所述粘合剂层；

第一导电柱，其安置在所述粘合剂层中且接触所述第一导电垫；

图案化导电层，设置于所述封装本体上，电连接到所述第一导电柱；以及

晶种层，其安置于所述图案化导电层和所述第一导电柱之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述功率装置上的背侧金属层。

8.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其进一步包括与所述功率装置成热连通的导电层。

9.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述粘合剂层沿着所述功率装置的周长安置。

10.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述封装本体和所述粘合剂层上的防焊罩层，其中所述第一导电柱延伸穿过所述防焊罩层且从所述防焊罩层暴露。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述防焊罩层上的连接元件，其中所述连接元件电连接到所述第一导电柱。

12.一种制造半导体封装装置的方法，所述方法包括：

提供具有安置在其上的第一导电层的载体；

在所述第一导电层上形成粘合剂层；

将裸片的第一侧附接到所述粘合剂层，所述裸片包括安置在所述第一侧的至少一个导电垫；

用囊封剂层囊封所述裸片和所述粘合剂层；

移除所述载体；

移除所述第一导电层的一部分以暴露所述粘合剂层的一部分；

移除所述粘合剂层的所述暴露部分从而在所述粘合剂层中形成第一开口；以及

用导电材料填充所述第一开口从而形成第一导电通孔。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在所述载体的所述移除之前在所述裸片的第二侧上和所述囊封剂层上形成第二导电层，其中所述第二侧与所述第一侧相对。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二导电层和所述第一导电通孔的所述形成在单一操作中执行。