[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法、以及位置检测装置

说明书

本发明提供一种磁阻效应元件，该磁阻效应元件具备排列成阵列状的多个磁阻效应层叠体和将多个磁阻效应层叠体串联电连接的多个引线电极，电连接于多个磁阻效应层叠体中的第一磁阻效应层叠体的层叠方向上的第一面的第一引线电极和电连接于在串联方向邻接的第二磁阻效应层叠体的层叠方向上的第一面的第二引线电极以不使磁阻效应层叠体介于它们之间的方式电连接。

技术领域

本发明涉及一种磁阻效应元件及其制造方法、以及具有该磁阻效应元件的位置检测装置。

背景技术

一直以来，在机床等中，是使用用于检测由移动体的旋转移动或者直线移动引起的位置或者移动量(变化量)的位置检测装置。作为该位置检测装置，已知有具备可检测伴随移动体的移动的外部磁场的变化的磁传感器的位置检测装置，其中，从磁传感器输出表示移动体和磁传感器的相对位置关系的信号。

作为在这样的位置检测装置中使用的磁传感器，已知有作为具有自由层和磁化固定层的层叠体的，即具备电阻伴随相应于外部磁场的自由层的磁化方向的变化而变化的磁阻效应元件(TMR元件)的磁传感器。

TMR元件包含串联连接的多个磁阻效应层叠体(TMR层叠体)。TMR层叠体的抗静电破坏性(抗静电放电ESD(Electro-Static Discharge)性)较低，当静电等的电涌导致的过电压或者过电流流通时，其有可能被破坏。因此，为了减小施加在各个TMR层叠体的电压、提高抗ESD性，而在TMR元件上串联连接有多个TMR层叠体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-260164号公报

发明内容

发明所要解决的课题

上述TMR元件的各TMR层叠体设计为，从层叠方向的上方或下方观察时的形状为正圆形状。通过TMR层叠体的形状为正圆形状，所以能够使自由层的磁化方向伴随外部磁场的变化而线性变化，因此，能够显示出稳定的电阻值变化，可以实现磁传感器的高精度的位置检测。但是，由于TMR层叠体的制造误差等，有时各TMR层叠体的形状等会产生变形。源于该各TMR层叠体的形状、特别是自由层的形状的变形，存在从磁传感器输出的信号波形中含有高次谐波失真之类的问题。特别是近年来，随着具备磁传感器的设备的小型化、高功能化等，要求以更高的精度检测移动体的位置，并处于即使是因上述TMR层叠体的形状等的极微小的变形而可能产生的微小的检测误差也不能忽略的状况。

为了对该高次谐波失真进行修正，想要修正各TMR层叠体的形状的变形，其修正量也是不足长度测量SEM等的长度测量极限的很小的量，对该修正量进行管理是非常困难的。另外，例如在通过丝网印刷等方法而制作的一般的电阻体中，为了使电阻值与设计值一致，有时一边监控所制作的电阻体的电阻值一边进行向该电阻体照射激光的激光微调处理。但是，即使想要通过进行对各TMR层叠体照射激光的激光微调处理而修正各TMR层叠体的形状的变形，TMR层叠体的膜结构也有可能因照射激光而被破坏。

鉴于上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种磁阻效应元件及其制造方法、以及包含该磁阻效应元件的位置检测装置，其能够修正源于由制造误差等引起的各磁阻效应层叠体的形状的变形而可能产生的高次谐波失真，并伴随外部磁场的变化而显示稳定的电阻值变化。

解决技术问题的手段