[发明专利]裸眼3D光栅及制备方法

权利要求书

1.一种裸眼3D光栅，包括基层（101），其特征是：在基层（101）的一面设有低反射层（102），低反射层（102）上方设有高反射层（103），至少高反射层（103）为光栅结构。

2.根据权利要求1所述的裸眼3D光栅，其特征是：低反射层（102）和高反射层（103）为光栅结构。

3.一种裸眼3D光栅，包括基层（101），其特征是：在基层（101）的一面设有高反射层（103），高反射层（103）上方设有低反射层（102），高反射层（103）和低反射层（102）为光栅结构。

4.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：所述的基层（101）为玻璃基板或透明塑料基板。

5.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：所述的低反射层（102）为氧化钼层；所述的高反射层（103）为铝层或银层。

6.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：由基层（101）、低反射层（102）和高反射层（103）组成的光栅器件（1）位于背光组件（3）与阵列玻璃组件（6）之间。

7.一种制备权利要求1、2、4~6所述的裸眼3D光栅的制备方法，其特征是包括以下步骤：

一、在真空状态下，在磁控溅射设备中，以Mo靶作为靶材，通入氧气，在基层（101）的一面以磁控反应溅射工艺制备低反射层（102）；

二、更换为Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，在低反射层（102）的表面以磁控反应溅射工艺制备高反射层（103）；

三、刻蚀光栅；

通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。

8.一种制备权利要求3~6所述的裸眼3D光栅的制备方法，其特征是包括以下步骤：一、在磁控溅射设备中，以Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，在基层（101）的一面以磁控反应溅射工艺制备高反射层（103）；

二、更换为Mo靶作为靶材，通入氧气，在高反射层（103）的表面以磁控反应溅射工艺制备低反射层（102）；

三、刻蚀光栅；

通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。

9.根据权利要求7或8所述的裸眼3D光栅的制备方法，其特征是：低反射层（102）溅镀的温度条件为100~150℃；高反射层（103）溅镀的温度条件为70~100℃。

10.根据权利要求7或8所述的裸眼3D光栅的制备方法，其特征是：所述的刻蚀方法采用黄光刻蚀，包括以下步骤：

s1、上光阻；

s2、用光罩曝光，光照条件为平行紫外线光线；光积量：50~150mj；

s3、显影，显影后检测；

s4、以刻蚀液刻蚀；

s5、脱膜；

通过以上步骤实现光栅刻蚀。