[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201710574710.9 | 申请日: | 2017-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN107622989B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
| 发明(设计)人: | 博恩·卡尔·艾皮特;凯·史提芬·艾斯格;邱基综 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 萧辅宽 |
| 地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
一种半导体封装装置包含第一裸片、粘合剂层和囊封剂层。所述第一裸片包括所述第一裸片的第一表面处的第一电极,和所述第一裸片的与所述第一裸片的所述第一表面相对的第二表面处的第二电极。所述粘合剂层安置于所述第一裸片的所述第一表面上。所述囊封剂层囊封所述第一裸片和所述粘合剂层,其中所述第二电极的大体上整个表面从所述囊封剂层暴露。
本申请主张2016年7月15日申请的第62/363,130号美国临时申请的权益和优先权,所述临时申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。
背景技术
半导体装置(例如裸片或芯片)可附接到载体且由囊封剂囊封从而形成半导体装置封装。为促成小型化,腔可形成于载体中以容纳半导体装置。保护膜可层压到半导体装置和载体。可通过例如光刻技术、镀敷技术或其它适当技术形成于半导体装置上方的再分布结构可用于外部连接。然而,此制造半导体装置封装的工艺可能较昂贵。此外,此工艺可涉及极精确的对准和对齐技术。
发明内容
在一或多个实施例中,根据本发明的一个方面,提供一种半导体封装装置。所述半导体封装装置包含第一裸片、粘合剂层和囊封剂层。第一裸片包括安置在第一裸片的第一表面处的第一电极,和安置在第一裸片的与第一裸片的第一表面相对的第二表面处的第二电极。粘合剂层安置于第一裸片的第一表面上。囊封剂层囊封第一裸片和粘合剂层,其中第二电极的大体上整个表面从囊封剂层暴露。
在一或多个实施例中,根据本发明的另一方面,一种制造半导体封装装置的方法包含提供具有安置在其上的第一导电层的载体,以及经由第一粘合剂层将第一裸片的第一侧附接到所述载体,第一裸片包含安置在第一侧的第一电极和安置在与第一侧相对的第二侧的第二电极。所述方法进一步包含用囊封剂囊封第一裸片和第一粘合剂层使得第一裸片的第二电极的大体上整个表面从囊封剂暴露,以及移除所述载体。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。各种特征可能未按比例绘制,且所描绘的特征的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。
图1A和图1B说明根据本发明的第一方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E和图2F说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图3说明根据本发明的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图5说明根据本发明的第三方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图7A和图7B说明根据本发明的第四方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图9说明根据本发明的第五方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F和图10G说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易地理解本发明。
具体实施方式
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