[发明专利]一种激光加工晶圆的方法及装置

权利要求书

1.一种激光加工晶圆的方法，沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽；其特征在于，包括：根据激光器的发射频率控制光程调制器周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置，并沿所述预定切割道方向形成定制化焦点分布组合，其中，所述根据激光器的发射频率控制光程调制器周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置，并沿所述预定切割道方向形成定制化焦点分布组合包括：

获取晶圆上表面的Low-K层信息、或凹槽的槽形信息；

根据所述Low-K层信息、或凹槽的槽形信息确定定制化焦点分布组合；

根据所述定制化焦点分布组合和激光器的发射频率确定光程调制器的工作参数；

控制光程调制器按所述工作参数周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光程调制器改变所述聚焦点位置范围为0-30μm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在改变所述聚焦点位置范围内，根据所改变聚焦点位置的数值将光程控制器对应设置至少两个档位。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工作参数包括光程调制器的档位和档位调节频率；其中，

所述档位调节频率是保证每个档位分别调节固定数量的所述激光器的脉冲数。

5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，在控制光程调制器按所述工作参数周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置中还包括：

获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

根据厚度信息确定所述光程调制器的第一调整参数，并根据第一调整参数控制光程调制器调整在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息包括：

向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；

获取检测光束的反射光；

根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的厚度信息。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在控制光程调制器按所述工作参数周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置中还包括：

检测对晶圆上表面Low-K层刻蚀所形成的槽形并获取实时槽形信息；

根据实时槽形信息确定所述光程调制器的第二调整参数，并根据第二调整参数控制光程调制器调整在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置。

8.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：

激光器，用于发射激光光束；

扩束准直元件，用于将所述激光光束扩束、准直，形成平行光束；

光程调制器，设置于扩束准直元件内并用于根据激光器的发射频率改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置，并沿预定切割道方向形成定制化焦点分布组合；

聚焦元件，用于将平行光束进行聚焦处理并形成聚焦点后发射至晶圆上表面Low-K层；

激光加工平台，用于沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽；

控制器，分别与激光器、光程调制器和激光加工单元连接，用于控制并协调各元器件之间的工作。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第一分束器，用于将激光光束分为检测光束和加工光束，其中，所述检测光束用于发射至晶圆上表面Low-K层；所述加工光束发射至扩束准直元件中并形成平行光束；

检测构件，用于获取检测光束的反射光。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第二分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入检测组件和聚焦元件；

检测组件，获取平行光束的实时激光信息。