[发明专利]热处理方法有效
| 申请号： | 201710573685.2 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107658225B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 谷村英昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔炳哲;向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种热处理方法，该方法对以锗或硅锗为主要成分的p型半导体进行热处理，其特征在于，包括：
搬入工序，将注入有掺杂剂的锗或硅锗的半导体层搬入室内；
环境气体形成工序，向上述室导入含有氢气或氨气的处理气体；
预热工序，在氢气或氨气的环境气体中在预热温度对上述半导体层进行预热，由此，消除存在于上述半导体层的表面附近的空穴，以去除上述掺杂剂的扩散的阻碍；以及
闪光加热工序，向上述半导体层以0.1毫秒以上100毫秒以下的照射时间照射来自闪光灯的闪光来加热到处理温度，使上述半导体层中的锗或硅锗的晶格缺陷恢复，并且，使上述掺杂剂活化。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
上述预热温度是200℃以上500℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的热处理方法，其特征在于，
上述处理温度是600℃以上900℃以下。
4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
上述闪光加热工序中，通过调整上述闪光灯的发光时间以及发光强度，来控制上述掺杂剂的扩散。
5.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
上述预热工序以及上述闪光加热工序在20Pa～大气压之间进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
