[发明专利]高压快恢复PIN二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710571853.4 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107359117B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨东;林河北;郑方伟;李龙;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 曹红梅;苏芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 恢复 pin 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种高压快恢复PIN二极管，其特征在于，包括：
N型衬底；
N型外延层，形成于所述N型衬底表面；
若干P型注入区，由所述N型外延层表面向内延伸；
若干P+注入区，每一P+注入区形成于对应一P型注入区，P+注入区位于P型注入区中，P型注入区和P+注入区之间的区域为主要导电通道；
P-注入层，形成于所述N型外延层表面；
两金属层，分别配置在N型衬底底部、P-注入层表面，形成电极，
其中，所述P-注入层的浓度分别小于所有P型注入区、所有P+注入区；P型注入区和P+注入区位于P-注入层下，P型注入区之间由N型外延层隔开。
2.根据权利要求1所述的高压快恢复PIN二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
于N型外延层表面进行第一次P型离子注入，在N型外延层表面获得若干P型注入区，所述N型外延层形成于N型衬底上；
进出热退火，对所述P型注入区进行离子推进和激活；
于所述P型注入区进行第二次P型离子注入，在所述P型注入区表面形成P+注入区；于N型外延层表面形成一热氧化层；
进行第三次P型离子注入，在N型外延层与热氧化层之间形成P-注入层；
去除所述热氧化层，并在正面和背面制备金属层，形成电极。
3.根据权利要求2所述的高压快恢复PIN二极管的制造方法，其特征在于，所述热氧化层的厚度在500-1000埃。
4.根据权利要求2所述的高压快恢复PIN二极管的制造方法，其特征在于，第三次P型离子注入，注入能量大于120KeV，注入剂量均小于第一次P型离子注入和第二次P型离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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