[发明专利]一种含Ce稀土永磁体及其制备方法有效
申请号: | 201710569040.1 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN109256250B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 杜飞;陈国安;钮萼;陈治安;王湛;饶晓雷;胡伯平 | 申请(专利权)人: | 北京中科三环高技术股份有限公司;天津三环乐喜新材料有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/12;C22C33/02 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 项荣;武玉琴 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ce 稀土 永磁体 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及含Ce稀土永磁体及其制备方法。所述稀土永磁体包括主相和晶界相,晶界相中包括呈网状连接的晶界相,呈网状连接的晶界相由三角区晶界相和两相区晶间晶界相构成;三角区晶界相为R(T‑TM)2结构晶界相,R为La、Ce、Pr、Nd、Tb、Dy、Ho、Y中的一种或几种稀土元素,并且,R中Ce为含量最高的元素,T是以Fe为必需元素或以Fe和Co为必需元素的一种以上过渡族金属元素,TM为Al、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb中的一种或多种金属元素;两相区晶间晶界相中包含Ce和Ho稀土元素。本发明中Ho的加入增大了晶界相的润湿性,晶界相的面积占比明显增大,使得晶界相对于永磁体的去磁耦合作用变强,通过控制Ce与Ho的添加比例,使得永磁体的外禀磁性得以改善,矫顽力提高。
技术领域
本发明涉及稀土永磁体制备领域,具体涉及一种含Ce稀土永磁体及其制备方法。
背景技术
钕铁硼稀土永磁材料,是迄今为止发现的磁性能最强的永磁材料,并以其优良的磁性能在越来越多的领域取得广泛应用,如用于医疗核磁共振成像、计算机硬盘驱动器、音响手机、风力发电与航空航天领域等。伴随人们对低碳、节能的需求,钕铁硼稀土永磁材料在汽车电机、节能电器等领域的应用也日益增多。
目前,我国钕铁硼的产量位居世界首位。钕铁硼虽然比第二代SmCo系材料具有一定的成本优势,但是成本仍然较高。钕铁硼中,金属钕的成本占原料总成本的90%左右,不断增大的应用市场使得对于原材料的依赖日益加剧。同时,市场对于原材料的价格波动也更加敏感。因此,寻求一种更少钕含量的替代磁体变得迫在眉睫。
同样作为稀土元素,自然界中Ce元素的丰度要远远高于金属Nd元素,前者的价格约为后者的十分之一左右。Ce的添加一方面可以大量的节约原材料成本;另一方面可以有效的减少稀土分离过程中对于环境的不良影响。但是,随着Ce的添加量增加,稀土永磁体的磁性能会出现明显的下滑,大大限制了含Ce磁体的应用。一些生产与科研单位都对低成本并可获得较好磁性能的高性价比含Ce磁体进行了研究。
非专利文献1[J.Appl.Phys,Vol.115,No.11,113912]研究了采用混合稀土MM和双合金法制备(MM,Nd,Dy)-Fe-Co-Cu-Al-Nb-B烧结磁体的相结构、微结构与永磁性能的关系。该研究认为含Ce磁体在磁性能方面的明显下滑,一方面是由于Ce-Fe-B的饱和磁化强度与各向异性场低于Nd-Fe-B;另一方面,在Ce-Fe-B三元合金中,Ce更加倾向于生成与主相之间润湿性差的Laves相--RT2相,该相主要分布在晶界三角区中,无法充分包裹R2Fe14B主相,从而削弱了晶界相的去磁耦合作用。因此,这两种原因大大限制了Ce的磁性能,特别是矫顽力。
专利文献CN104575920采用烧结工艺制备的磁体成分为MMa-bHRbFecBdTMe,其中,x=0.24~0.6,a=27~36,b=0~10.0,c=0~3.0,MM为(CexLR1-x),LR为Nd、Pr中的一种或两种。随着Ce添加量的增加,RT2相开始生成并逐渐增多,但是所生成的RT2相主要分布于三角区,并没有发挥良好的去磁耦合作用。
在上述的研究中,随着Ce替代Nd的比例增加,富Ce相--R(T-TM)2的比例也逐渐增大。无Ce的磁体中,富Nd相与主相晶粒润湿性良好,可形成连续而光滑的晶界相,对晶粒形成良好包裹,起到去磁耦合作用,保障矫顽力。常规方法制备的含Ce磁体中,R(T-TM)2相与主相晶粒的润湿性较差,在晶界中大多以颗粒状出现于三角晶界处,这些颗粒相互孤立,无法对主相形成良好的去磁耦合作用。假若能使孤立的R(T-TM)2相实现相互连接,同时提升晶界相的面积及润湿性,改善晶界相对于主相颗粒的去磁耦合作用,含Ce磁体的矫顽力将会得到明显的提升。
发明内容
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