[发明专利]单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺在审
申请号: | 201710567885.7 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107227489A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 符志椿 | 申请(专利权)人: | 符志椿 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 宝鸡市新发明专利事务所61106 | 代理人: | 席树文 |
地址: | 721000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 生长 导流 加工 工艺 | ||
1.一种单晶硅生长炉钼导流筒,具有一个金属钼板制成的锥形筒(1),其特征是在锥形筒(1)侧壁制有均匀分布的凸起点或交替均匀分布的凹槽和凸起点。
2.根据权利要求1所述的钼导流筒,其特征是所述金属钼板厚度在0.05-1.5mm,凹槽和凸起点等量并均匀分布于锥形筒(1)侧壁上,且凹槽的深度和凸起点的高度为0.5-3mm。
3.根据权利要求2所述的钼导流筒,其特征是凹槽和/或凸起点均匀分布密度为每平方分米80-120个。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的钼导流筒,其特征是凹槽和凸起点凹凸形状规则统一,为以下形状之一或多种组合:三角形、菱形、四边形、方形、圆形及多角型。
5.如权利要求1-4任意一项所述钼导流筒的加工工艺,其特征是首先采用上模和下模夹持金属钼板垂直压下,利用热压或冷压或热处理成型工艺成型,将金属钼板压制成设计形状的凹凸板,再加工制成锥形筒;所述上模和下模上分别制有对应形状的凹槽和凸起点。
6.如权利要求1-4任意一项所述钼导流筒的加工工艺,其特征是首先采用滚筒式圆周成型工艺将金属钼板压制成凹凸板,再制成锥形筒;所述滚筒上制有均匀布置的凸起点,金属钼板低下搁置特制材料作为垫板并用滚筒挤压金属钼板形成凹槽和凸起点。
7.如权利要求1所述钼导流筒的加工工艺,其特征是首先在金属钼板表面固定柱状材料形成均匀分布的凸起点,然后制成锥形筒。
8.如权利要求1所述单面凹凸和双面凹凸,其特征是,单面凹凸板为一面是平面凹入并保持凹入剩余部分处于整体平面水平,另一面全为突出点;双面凹凸板为版面双向全为凹凸点。
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