[发明专利]一种化学机械研磨方法和化学机械研磨装置有效

专利信息
申请号: 201710567281.2 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN109262446B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 唐强;施成;朱海青;张溢钢 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;B24B57/02
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 化学 机械 研磨 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,所述方法包括:

提供待研磨的半导体晶圆,采用研磨头夹持所述半导体晶圆;

驱动所述研磨头在第一研磨头位置与第二研磨头位置之间切换至少一次,所述第一研磨头位置悬于研磨垫上方,且高于所述第二研磨头位置,在所述第二研磨头位置下,所述半导体晶圆与所述研磨垫接触并进行化学机械研磨工艺;

其中,在所述研磨头处于所述第一研磨头位置时,采用研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷,以使所述半导体晶圆待研磨的表面分布有所述研磨液,并且执行所述化学机械研磨工艺时分布在所述表面的所述研磨液分布在所述半导体晶圆待研磨表面和所述研磨垫之间,其中在所述半导体晶圆与所述研磨垫接触后进行化学机械研磨工艺的过程中驱动所述研磨头在所述第一研磨头位置与所述第二研磨头位置之间的切换至少一次,以在所述研磨头处于所述第一研磨头位置时采用所述研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷的时间为3~5s。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷所采用的研磨液与所述化学机械研磨中采用的研磨液一致。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷的步骤在化学机械研磨工艺开始之前进行。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,驱动所述研磨头在所述第一研磨头位置与所述第二研磨头位置之间切换至少两次,包括下述先后进行的步骤:

驱动所述研磨头至所述第一研磨头位置,在所述第一研磨头位置采用研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷;

驱动所述研磨头下降至所述第二研磨头位置,执行化学机械研磨工艺;

驱动所述研磨头上升至所述第一研磨头位置,在所述第一研磨头位置采用研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷;

驱动所述研磨头下降至所述第二研磨头位置,继续执行化学机械研磨工艺。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述采用研磨液对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷的步骤中保持所述研磨头旋转。

7.一种化学机械研磨装置,其特征在于,所述装置包括:

研磨头,所述研磨头具有第一研磨头位置和第二研磨头位置,所述第一研磨头位置为所述研磨头夹持待研磨的半导体晶圆转移至研磨垫上方时的位置,所述第二研磨头位置为所述研磨头夹持所述待研磨晶圆与研磨垫接触并执行化学机械研磨的位置;

冲刷装置,用于在所述研磨头位于所述第一研磨头位置时对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷;以及

驱动装置,用于驱动所述研磨头在所述第一研磨头位置与所述第二研磨头位置之间切换;其中,

所述冲刷装置包括设置在研磨液传送装置上的研磨液喷头,所述研磨液喷头用于在研磨头位于第一研磨头位置时,将由研磨液传送装置传送到研磨垫上的研磨液喷洒至研磨头以对所述研磨头和/或所述半导体晶圆进行冲刷。

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