[发明专利]一种基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

包括双栅薄膜晶体管和在所述双栅薄膜晶体管的顶栅极耦合的物理场中的一种或多种；

所述物理场包括光场、热场、力场或磁场。

2.根据权利要求1所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述物理场为热场和力场。

3.根据权利要求2所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

包括集成于同一柔性衬底并且相互独立的至少两个双栅薄膜晶体管；

其中，至少一个所述双栅薄膜晶体管的顶栅极表面设有极化的压电材料或非极化的压电材料；

所述压电材料的表面还设有金属材料。

4.根据权利要求3所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述压电材料为聚偏氟乙烯PVDF。

5.根据权利要求3或4所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述双栅薄膜晶体管与非极化的压电材料、金属材料形成温度传感器。

6.根据权利要求5所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述双栅薄膜晶体管的顶栅极、非极化的压电材料和金属材料形成可变电容。

7.根据权利要求6所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述双栅薄膜晶体管的源极接地。

8.根据权利要求3或4所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述双栅薄膜晶体管与极化压电材料、金属材料形成压力传感器。

9.根据权利要求8所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器，其特征在于：

所述极化的压电材料的顶层与双栅薄膜晶体管的源极连接，并且接地。

10.一种如权利要求3-9任意一项所述的基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器的制备方法，包括如下步骤：

在柔性衬底表面分别溅射一层金属并图形化，形成至少两个独立的底栅极；

利用薄膜沉积工艺，在至少两个底栅极上分别依次沉积底栅绝缘层和有源层；

利用湿法或干法刻蚀工艺，在至少两个有源层表面分别对应形成至少两组源极和漏极；

利用薄膜沉积工艺，在每组所述源极和漏极上沉积顶栅绝缘层；

在所述顶栅绝缘层的表面分别涂布一层压电材料；

在至少一层压电材料成膜后对其施加高电场极化，形成极化的压电材料；

在所述极化的压电材料和未极化的压电材料上再沉积金属材料。