[发明专利]接合系统有效
申请号: | 201710566289.7 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611060B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 松永正隆;古贺隆司;田村武;增永隆宏;三村勇之;本田胜;稻益寿史;西村理志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 系统 | ||
本发明提供一种能够谋求基板的处理时间的缩短的接合系统。实施方式的一形态的接合系统具备基板输送装置、表面改性装置、加载互锁室、表面亲水化装置以及接合装置。基板输送装置在常压气氛下输送第1基板以及第2基板。表面改性装置在减压气氛下对第1基板以及第2基板的要接合的表面进行改性。加载互锁室在室内中进行基板输送装置与表面改性装置之间的第1基板以及第2基板的交接,并且能够将室内的气氛在大气气氛与减压气氛之间切换。表面亲水化装置对改性后的第1基板以及第2基板的表面进行亲水化。接合装置利用分子间力对亲水化后的第1基板和第2基板进行接合。
技术领域
本发明涉及接合系统。
背景技术
以往,为了满足半导体器件的高集成化的要求,提出了使用将半导体器件3维地层叠的3维集成技术。作为使用了该3维集成技术的系统,公知有将例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板彼此接合的接合系统(参照例如专利文献1)。
该接合系统具备:表面改性装置,其对第1基板、第2基板的要接合的表面进行改性;亲水化装置,其对改性后的第1基板、第2基板进行亲水化;接合装置,其利用范德华力和氢键(分子间力)将亲水化后的第1基板、第2基板接合。另外,接合系统也具备在各装置间输送第1基板、第2基板的基板输送装置。
专利文献1:日本特开2015-18919号公报
发明内容
然而,在上述的接合系统中,表面改性装置的改性处理在减压气氛下进行。另一方面,由基板输送装置进行的基板的输送在常压气氛下进行。因而,在上述的表面改性装置中,进行了如下室内压的切换:在与输送装置之间进行基板的交接时,将室内的气氛设为常压气氛,在改性处理时设为减压气氛。
表面改性装置的室内的容积比较大,因此,室内压的切换需要时间。因此,对于上述的接合系统,在缩短基板的处理时间这点存在进一步改善的余地。
实施方式的一形态的目的在于提供一种能够谋求基板的处理时间的缩短的接合系统。
实施方式的一技术方案的接合系统具备基板输送装置、表面改性装置、加载互锁室、表面亲水化装置以及接合装置。基板输送装置在常压气氛下输送第1基板和第2基板。表面改性装置在减压气氛下对所述第1基板和所述第2基板的要接合的表面进行改性。加载互锁室在室内进行所述基板输送装置与所述表面改性装置之间的所述第1基板和所述第2基板的交接,并且,能够将所述室内的气氛在大气气氛与减压气氛之间进行切换。表面亲水化装置使改性后的所述第1基板和所述第2基板的表面亲水化。接合装置利用分子间力将亲水化后的所述第1基板和所述第2基板接合。
根据实施方式的一形态,能够在接合系统中谋求基板的处理时间的缩短。
附图说明
图1是表示第1实施方式的接合系统的结构的示意俯视图。
图2是表示第1实施方式的接合系统的结构的示意侧视图。
图3是第1基板和第2基板的示意侧视图。
图4是表示位置调节装置的结构的示意侧视图。
图5A是表示翻转用传送部的结构的示意俯视图。
图5B是表示翻转用传送部的结构的示意侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造