[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

在衬底上的像素区形成第一薄膜晶体管，包括：

形成第一半导体层，

对所述第一半导体层进行退火工艺以形成第一有源层；

在衬底上的周边区形成第二薄膜晶体管，包括：

形成第二半导体层，

对所述第二半导体层进行脱氢工艺以形成第二有源层；

其中，所述第一半导体层先于所述第二半导体层形成，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成，在形成第一有源层与形成第二有源层的步骤之间还包括形成覆盖所述第一有源层的第二缓冲层的步骤。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底上的像素区形成第一有源层之前还包括以下步骤：

在衬底上形成包括第一遮光部和第二遮光部的遮光层，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内；

形成覆盖所述遮光层的第一缓冲层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第二有源层的步骤之后还包括：

形成覆盖所述第二有源层的栅极绝缘层的步骤；

在栅极绝缘层上对应第一有源层、第二有源层的位置处形成第一栅极、第二栅极的步骤；

形成覆盖所述第一栅极和第二栅极的层间介质层的步骤。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成层间介质层的步骤之后还包括：

在所述层间介质层上对应第一有源层和第二有源层的位置处形成第一源漏极、第二源漏极的步骤；以及

将所述第一源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层、第二缓冲层的第一过孔与第一有源层连接；将所述第二源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层的第二过孔与第二有源层连接的步骤。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在第一源漏极、第二源漏极上依次形成平坦化层、公共电极、钝化层、像素电极的步骤。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一有源层由IGZO构成；所述第二有源层由低温多晶硅构成。

8.一种阵列基板，包括衬底，还包括设于所述衬底上的位于像素区的第一薄膜晶体管以及位于周边区的第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括采用退火工艺形成的第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括采用脱氢工艺形成的第二有源层，其中，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成，所述第一有源层相较于所述第二有源层更靠近所述衬底，所述第一有源层与所述第二有源层之间设有覆盖所述第一有源层的第二缓冲层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底与第一有源层所在的面之间设有遮光层，所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部；其中，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内。