[发明专利]一种晶体生长装置及其组装方法

说明书

本发明实施例提供了一种晶体生长装置及其组装方法，包括：内层装置、钼箔、钽层装置、外层装置；内层装置位于钽层装置内，钽层装置位于外层装置内，钼箔衬于钽层装置与内层装置之间。本申请晶体生长装置能够长时间耐受高温、高压条件，在使用熔体生长法生成晶体时，可以利用本申请晶体生长装置生成所需条件比较苛刻的晶体。

技术领域

本发明涉及稀有金属加工领域，特别是涉及一种晶体生长装置及其组装方法。

背景技术

现有的晶体生产方法有气相输运法、熔体生长法、溶液生长法等，而采用熔体生长法(坩埚下降法或称布里奇曼法)生产晶体时，某些晶体粉末(如硒化锌粉末)必须长时间处在一个封闭的高温高压且依梯度变化的温度场的环境中才能生长为晶体，由于其生长条件极为苛刻，因此并没有一种装置能够达到其生长条件。基于此，亟需一种晶体装置来满足熔体生长法生成晶体的需要。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种可以长时间耐受高温、高压条件的晶体生长装置及其组装方法。具体技术方案如下：

一种晶体生长装置，包括：内层装置、钼箔、钽层装置、外层装置；其中，

所述内层装置包括：内层装置体、内层装置盖，所述内层装置盖置于所述内层装置体上；

所述钽层装置包括：钽管、钽层装置盖、钽层装置体，其中所述钽管焊接于所述钽层装置盖上；所述钽管用于向所述钽层装置内充入惰性气体，所述钽层装置盖置于所述钽层装置体上；

所述外层装置包括：外层装置体、外层装置盖，其中所述外层装置盖置于所述外层装置体上；

所述内层装置位于所述钽层装置内，所述钽层装置位于所述外层装置内，所述钼箔衬于所述钽层装置与所述内层装置之间，优选地所述钼箔厚度为0.05-0.5mm。

所述钽层装置的焊接方式采用真空电子束焊接或激光焊接中的任一种，优选的采用真空电子束焊接。

所述钽层装置由纯钽或钽合金制成，优选地所述钽层装置的厚度为8-10mm。

可选的，所述内层装置由石墨制成，优选地所述内层装置的厚度为3-10mm。

可选的，所述外层装置由金属钼制成，优选地所述外层装置的厚度为1-3mm。

一种晶体生长装置的组装方法，组装顺序包括：

1)将生产晶体用原料加入到内层装置体中；

2)将所述内层装置体置于钽层装置体内，并在所述钽层装置体与所述内层装置体之间衬上钼箔，盖上内层装置盖，在所述内层装置盖外衬上钼箔，优选地所述钼箔厚度为0.05-0.5mm；

3)将钽管焊接于钽层装置盖上，并将所述钽层装置盖与所述钽层装置体焊接组成钽层装置，焊接方式采用权利要求2所述的焊接方式；

4)通过所述钽管将氩气充入所述钽层装置内，充气压力0.2-0.5MPa，在保持充气压力的同时，将所述钽管压扁或折弯，以使氩气密封在所述钽层装置中；

5)将所述钽层装置置于外层装置体内，将外层装置盖置于所述外层装置体上。

本发明实施例提供的晶体生长装置通过独特的结构设计，可以长时间耐受高温、高压条件，因而可以用于生成所需条件比较苛刻的晶体。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种晶体生长装置结构示意图。