[发明专利]存储器控制器和控制其操作的方法有效

专利信息
申请号: 201710565054.6 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN108108121B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 南尚完;边大锡;尹治元;申海淑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张川绪;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 控制 操作 方法
【说明书】:

提供一种存储器控制器和控制其操作的方法。一种控制存储器控制器的操作的方法包括,在非易失性存储器装置的读取操作中,存储器控制器对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数和/或对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数。当选择读取计数和/或未选择读取计数超过读取阈值时,存储器控制器执行选择的存储器块的回收操作。为了通过回收操作将选择的存储器块的数据移动到另一存储器块,存储器控制器可通过使用改变后的页地址将选择的存储器块的数据复制到另一存储器块。

本申请要求于2016年11月25日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0158497号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种存储器装置。更具体地讲,本公开涉及一种具有用于控制非易失性存储器装置的读取回收操作的回收控制器的存储器装置和控制该存储器控制器的操作的方法。

背景技术

半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置(诸如,动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM))和非易失性存储器装置(诸如,电可擦可编程只读取存储器(EEPROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和闪存)。易失性存储器装置在电源关闭时丢失存储的数据,而非易失性存储器装置即使在电源关闭时也保持存储的数据。具体地说,闪存具有以下优势,诸如,高编程速度、低功耗和大的数据存储。因此,包括闪存的存储器系统被广泛用作数据存储介质。

存储器系统包括用于控制闪存的存储器控制器。存储器控制器可执行用于管理闪存的各种操作。如果存储器控制器能根据闪存的读取干扰减少回收项目的数量,则闪存的寿命可被延长,并且存储器系统的性能可被提高。

发明内容

本公开提供根据非易失性存储器装置的读取干扰的回收控制方法。

本公开提供用于执行所述回收控制方法的存储器控制器。

根据本公开的发明构思的一个方面,一种操作用于控制非易失性存储器装置的存储器控制器的方法可包括:通过存储器控制器,将读取命令和读取地址发送到非易失性存储器装置。所述方法还可包括:根据读取命令和读取地址,对与非易失性存储器装置的选择的存储器块的选择的串中的选择的字线连接的存储器单元执行读取操作。所述方法还可包括:对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数;基于选择读取计数,执行用于将在选择的存储器块中存储的数据移动到另一存储器块的回收操作。

根据本公开的发明构思的另一方面,一种操作用于控制非易失性存储器装置的存储器控制器的方法可包括:对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数。所述方法还可包括:基于未选择读取计数,执行用于将在选择的存储器块中存储的数据移动到另一存储器块的回收操作。

根据本公开的发明构思的另一方面,一种操作用于控制非易失性存储器装置的存储器控制器的方法,所述方法包括:通过存储器控制器,将读取命令和读取地址发送到非易失性存储器装置;根据读取命令和读取地址,对与非易失性存储器装置的选择的存储器块的选择的串中的选择的字线连接的存储器单元执行读取操作;对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数;对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数;当选择读取计数和未选择读取计数中的任一个超过读取阈值时,执行用于将在选择的存储器块中存储的数据移动到另一存储器块的回收操作。

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