[发明专利]一种高密封度的气相腐蚀腔体

权利要求书

1.一种高密封度的气相腐蚀腔体，包括：上部腔体、下部腔体和升降控制装置，所述升降控制装置与所述上部腔体相连接，控制所述上部腔体的上下移动，所述下部腔体固定，在所述下部腔体设置有进气口、出气口和加热板，其特征在于，

在所述上部腔体与所述下部腔体之间设置有第一密封机构，在所述加热板与所述下部腔体之间设置有第二密封机构，在所述出气口设置有第三密封机构，

所述上部腔体为圆形的盖状，在所述上部腔体的周缘，整圈形成有与腔体所在的平面相垂直的上盖凸缘，所述上部腔体比所述上盖凸缘更靠外侧的下表面被加工形成为光滑的第一密封面，

所述下部腔体为圆形的皿状，所述下部腔体的周缘的上表面被加工形成为光滑的第二密封面，在所述第一密封面或所述第二密封面中形成有密封槽，

所述下部腔体的周缘的内壁被加工形成为光滑的第三密封面，所述上部腔体的所述凸缘的外壁被加工形成为光滑的第四密封面。

2.根据权利要求1所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所述第一密封面、所述第二密封面、所述第三密封面、所述第四密封面以及配置于所述第一密封槽内的第一密封件构成所述第一密封机构。

3.根据权利要求2所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所述第一密封元件为耐腐密封圈。

4.根据权利要求2所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所述第二密封机构中设置有第二密封件和第三密封件，所述第三密封机构中设置有第四密封件，所述第二密封件、所述第三密封件、和所述第四密封件是耐腐密封圈。

5.根据权利要求1所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所述上部腔体与所述下部腔体的材质为全氟烷氧基树脂(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚偏氟乙稀(PVDF)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚醚醚酮(PEEK)的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所通入的气相源为氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)、碘化氢(HI)、二氟化氙(XeF₂)的一种或者几种的组合。

7.根据权利要求1所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，所述所述升降控制装置包括驱动装置和位移传感器。

8.根据权利要求7所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

所述驱动装置是气缸或电缸，所述位移传感器是光学传感器或电容传感器。

9.根据权利要求1所述的高密封度的气相腐蚀腔体，其特征在于，

在所述下部腔体的所述出气口通过所述第三密封机构连接有排气调节装置。