[发明专利]像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置在审

专利信息
申请号: 201710564519.6 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN107230449A 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 玄明花;杨盛际;陈小川 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,刘伟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 单元 电路 驱动 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置。

背景技术

硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)的发光亮度通常通过驱动MOS管(金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管)的亚阈值区的电流来控制,由于MOS管的电流与它的宽长比成正比,为了实现微显示像素的小电流,必须把驱动MOS管的W/L(宽长比)的比值设计很小,即得把驱动MOS管的L(长度)设计很大,这样以来很难将硅基OLED应用到高分辨率的显示产品,存储电容无法做大,数据电压无法稳定保持,导致OLED的亮度不稳定;且MOS管的亚阈值电流对栅源电压和阈值电压很敏感,外围电路也很复杂。传统的硅基像素电路(采用工作在亚阈值的驱动MOS管)很难减少驱动MOS管的面积至很难应用到超高分辨率的产品上,并且OLED的驱动电流对驱动MOS管的栅源电压和阈值电压敏感,外围电路相对复杂。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置,解决现有技术中硅基OLED的发光亮度通过驱动MOS管的亚阈值区的电流控制,从而需将驱动MOS管的长度设计的很大从而导致硅基OLED无法应用于高分辨率的显示产品中,并且OLED的驱动电流对驱动MOS管的栅源电压和阈值电压敏感,外围电路相对复杂的问题。

为了达到上述目的,本发明提供了一种像素单元电路,包括:

第一节点控制模块,分别与一行选通线、一列选通线和第一节点连接,用于在所述行选通线的控制下控制所述第一节点是否与所述列选通线连接;

存储电容模块,第一端与所述第一节点连接,第二端与高电平输入端连接;

第二节点控制模块,分别与所述第一节点、第二节点、所述高电平输入端和低电平输入端连接,用于在所述第一节点的控制下,控制所述第二节点与所述高电平输入端或所述低电平输入端连接;以及,

发光元件,第一端与所述第二节点连接,第二端与所述低电平输入端连接。

实施时,所述第二节点控制模块包括:

第一PMOS管,栅极与所述第一节点连接,第一极与所述高电平输入端连接,第二极与所述第二节点连接;以及,

第一NMOS管,栅极与所述第一节点连接,第一极与所述低电平输入端连接,第二极与所述第二节点连接。

实施时,所述第二节点控制模块包括:

第一NMOS管,栅极与所述第一节点连接,第一极与所述第二节点连接,第二极与所述高电平输入端连接;以及,

第一PMOS管,栅极与所述第一节点连接,第一极与所述第二节点连接,第二极与所述低电平输入端连接。

实施时,所述第一节点控制模块包括:第二NMOS管,栅极与所述行选通线连接,第一极与所述第一节点连接,第二极与所述列选通线连接。

实施时,所述第一节点控制模块包括:第二PMOS管,栅极与所述行选通线连接,第一极与所述列选通线连接,第二极与所述第一节点连接。

实施时,所述存储电容模块包括:存储电容,第一端与所述第一节点连接,第二端与高电平输入端连接;

所述发光元件包括有机发光二极管;所述发光元件的第一端为所述有机发光二极管的阳极,所述发光元件的第二端为所述有机发光二极管的阴极。

本发明还提供了一种像素单元电路的驱动方法,用于驱动上述的像素单元电路,所述驱动方法包括:

在行选通线的控制下,第一节点控制模块控制第一节点是否与列选通线连接;

在所述第一节点的控制下,第二节点控制模块控制第二节点与高电平输入端或低电平输入端连接;

当所述第二节点控制模块控制所述第二节点与高电平输入端连接时,发光元件发光;

当所述第二节点控制模块控制所述第二节点与高电平输入端连接时,发光元件不发光。

实施时,当所述第一节点控制模块包括第二NMOS管,栅极与所述行选通线连接,第一极与所述第一节点连接,第二极与所述列选通线连接时,所述在行选通线的控制下,第一节点控制模块控制第一节点是否与列选通线连接步骤包括:

当所述行选通线输出高电平信号时,所述第二NMOS管导通,从而控制所述第一节点和所述列选通线连接;

当所述行选通线输出低电平信号时,所述第二NMOS管断开,从而控制所述第一节点和所述列选通线不连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710564519.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top