[发明专利]一种基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法

权利要求书

1.一种基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

a)在盖玻片上用磁控溅射的方法镀上下层导热层；

b)在下层导热层上用磁控溅射的方法镀上中间变化层；

c)在变化层上用磁控溅射的方法镀上上层导热层；

d)将上述镀完薄膜的盖玻片紧贴于待测样品表面，且镀有薄膜的一面紧挨着测样品表面；

e)利用一束光功率密度为5×10⁸W/m²的弱光和一束同波长光功率密度为5×10⁹W/m²的强光照射同一区域，收集透过率信号；

f)将弱光信号放大，放大比例为强光入射光功率密度与弱光入射光功率密度的比值，再将放大后的信号与强光信号相减，获得此处中心小于衍射极限调制区域的信号；

g)采用点扫描的扫描显微镜系统，将光束透过盖玻片照射到待测样品表面上，以调制区域为最小分辨率点，逐点对待测样品表面进行扫描；

f)收集扫描区域所有信号，最终成像。

2.根据权利要求1所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的步骤a)中的下层导热层是Si、ZnS-SiO₂、SiN或SiO。

3.根据权利要求1或2所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的步骤a)中的导热层厚度在20nm到100nm之间。

4.根据权利要求1所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的步骤b)中的中间变化层是Sb、Te、Sb₂Te₃、Sb₇₀Te₃₀、InSb、Ge₂Sb₂Te₅、或AgInSbTe材料。

5.根据权利要求1或4所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的中间变化层厚度在20nm到100nm之间。

6.根据权利要求1所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的步骤c)中的上层导热层是Si,ZnS-SiO₂,SiN或SiO。

7.根据权利要求1或6所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的上层导热层厚度在20nm到100nm之间。

8.根据权利要求1所述的基于材料热致透过率变化的超分辨非荧光成像方法，其特征在于，所述的步骤e)中采用的光波长为405nm或者658nm。