[发明专利]非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201710562188.2 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107464829A | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 罗东向;刘佰全;肖鹏 | 申请(专利权)人: | 佛山科学技术学院;佛山市格雷明光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 超薄 发光 制备 串联 高效 有机 电致发光 器件 及其 方法 | ||
1.非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:包括基板、阳极、阴极和设置于所述阳极与阴极之间的有机功能层,所述有机功能层包括电荷生成层和非掺杂超薄发光层组件,所述电荷生成层与所述非掺杂超薄发光层组件相连接,所述非掺杂超薄发光层组件包括空穴注入层、空穴传输层、非掺杂超薄发光层、电子传输层和电子注入层,所述空穴注入层、空穴传输层、非掺杂超薄发光层、电子传输层和电子注入层由下往上依次连接。
2.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述电荷生成层的数量为N个,所述非掺杂超薄发光层组件的数量为N+1个,N≥1,所述电荷生成层和所述非掺杂超薄发光层组件相互间隔设置。
3.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述非掺杂超薄发光层的光色为可见光、紫外光和红外光中的任意一种。
4.根据权利要求1-3任一所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述基板为玻璃,所述阳极为ITO薄膜,所述阴极为Al薄膜,所述电荷生成层由HAT-CN薄膜和NPB薄膜构成。
5.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述空穴注入层为HAT-CN薄膜。
6.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述空穴传输层为NPB薄膜和TCTA薄膜中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述非掺杂超薄发光层为Ir(dmppy)2(dpp)薄膜。
8.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述电子传输层为Bepp2薄膜、Bepp2:KBH4薄膜和TmPyPB薄膜中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件,其特征在于:所述电子注入层为Cs2CO3薄膜。
10.应用权利要求1-9任一所述的非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、在基板之上以溅射的方法制备阳极;
B、在阳极之上以真空蒸镀的方法制备空穴注入层;
C、在空穴注入层之上以真空蒸镀的方法依次制备两个空穴传输层;
D、在最上一层的空穴传输层的上方以真空蒸镀的方法制备非掺杂超薄发光层;
E、在非掺杂超薄发光层之上以真空蒸镀的方法制备电子传输层;
F、在电子传输层之上以真空蒸镀的方法制备电子注入层;
G、在电子注入层之上以真空蒸镀的方法制备电荷生成层;
H、在电荷生成层之上以真空蒸镀的方法制备空穴注入层;
I、在空穴注入层之上以真空蒸镀的方法制备空穴传输层;
J、在空穴传输层之上以真空蒸镀的方法制备非掺杂超薄发光层;
K、在非掺杂超薄发光层之上以真空蒸镀的方法制备电子传输层;
L、在电子传输层之上以真空蒸镀的方法制备电子注入层;
M、在电子注入层之上以真空蒸镀的方法制备阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的