[发明专利]一种富边缘石墨烯-金属复合电极材料的制备方法及复合电极材料有效
| 申请号： | 201710562059.3 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107240695B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘立春 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/587;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 吕学文;朱红涛 |
| 地址： | 314001 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 石墨 金属 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种富边缘石墨烯-金属复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
将石墨烯生长在金属基底上，其中，所述金属基底包含由两种催化生长石墨烯能力不同的金属所构成的金属界面，以使两种金属界面处引起生长的石墨烯的厚度不一致。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属基底中的两种催化生长石墨烯能力不同的金属包括如下组合：
Ni-Au、Ni-Cu、Ni-Ag、Ni-Fe、Ni-Co、Ni-Pd、Cu-Au、Cu-Ag，Cu-Pd、Cu-Co、Cu-Fe、Co-Ag、Co-Au或Co-Pd。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属界面的构造方法为选自化学沉积、电化学沉积和真空溅镀中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法将石墨烯生长在金属基底上。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法为大气压化学气相沉积法和/或等离子体增强化学气相沉积法。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法的条件包括：温度为300-1200℃，碳源气体包括选自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔和丙炔中的一种或多种，沉积时间为1秒-12小时。
7.权利要求1-6中任意一项所述的制备方法所制备的富边缘石墨烯-金属复合电极材料。
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