[发明专利]QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠结合的底电极、第一功能层，设置在所述第一功能层上的功能化石墨烯像素阵列，设置在所述功能化石墨烯像素阵列上的量子点发光层，以及依次结合在所述量子点发光层上的第二功能层和顶电极，

其中，所述功能化石墨烯像素阵列包括石墨烯像素阵列以及在所述石墨烯像素阵列表面修饰的活性官能团，且所述活性官能团修饰在所述石墨烯像素阵列背对所述第一功能层的表面，所述量子点发光层通过所述活性官能团与所述功能化石墨烯像素阵列结合；

在所述功能化石墨烯像素阵列的阵列之间设置有疏水疏氧隔绝层；

所述活性官能团为-OH、-NH₂、-NH-、-CN、-SO₃H、-SOOH、-NO₂、-CONH₂、-CONH-、-CO-、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种；

所述功能化石墨烯像素阵列的厚度为5-50nm。

2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述第二功能层为层叠结合在所述量子点发光层上的电子注入/传输层。

3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述第一功能层为层叠结合在所述阴极上的电子注入/传输层，所述第二功能层为依次层叠结合在所述量子点发光层上的空穴传输层和空穴注入层。

4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述疏水疏氧隔绝层由疏水疏氧有机物和/或疏水疏氧无机物制成。

5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述疏水疏氧有机物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、丁腈橡胶、氯苯橡胶、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚砜、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚乙烯吡咯烷酮、有机硅中的至少一种；和/或

所述疏水疏氧无机物为二氧化硅、三氧化二铝、氧化锆、氧化镁中的至少一种。

6.如权利要求1-5任一项所述QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上沉积石墨烯层，对所述石墨烯层进行图案化处理形成石墨烯像素阵列，对所述石墨烯像素阵列背离所述衬底的表面进行修饰处理，得到功能化石墨烯像素阵列；

提供阳极，在阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层，然后将所述功能化石墨烯像素阵列转印到所述空穴传输层上，且使得修饰处理的表面背对所述空穴传输层；

在所述功能化石墨烯像素阵列上依次沉积量子点发光层、电子传输层和阴极；或

所述制备方法包括以下步骤：

在衬底上沉积石墨烯层，对所述石墨烯层进行图案化处理形成石墨烯像素阵列，对所述石墨烯像素阵列背离所述衬底的表面进行修饰处理，得到功能化石墨烯像素阵列；

提供阴极，在阴极上沉积电子注入/传输层，然后将所述功能化石墨烯像素阵列转印到所述电子注入/传输层上，且使得修饰处理的表面背对所述电子注入/传输层；

在所述功能化石墨烯像素阵列上依次沉积量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。

7.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，采用化学处理和/或物理处理对所述石墨烯像素阵列背离所述衬底的表面进行修饰处理，使所述石墨烯像素阵列表面修饰有-OH、-NH₂、-NH-、-CN、-SO₃H、-SOOH、-NO₂、-CONH₂、-CONH-、-CO-、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。

8.如权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述化学处理为酸处理、碱处理、电化学处理、光化学处理中的至少一种；和/或

所述物理处理为等离子体处理、紫外臭氧处理、激光处理、热处理中的至少一种。