[发明专利]一种等离子体改性超滤膜处理系统

权利要求书

1.一种等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：包括工作室(2)，所述工作室(2)的上方设置有放电室(1)，所述放电室(1)的一侧设置有总控箱(401)；所述总控箱(401)内设置有控制单元和等离子体电源模块，所述总控箱(401)上设置有与所述控制单元相连接的控制面板(402)；所述放电室(1)内设置有两个正对且连接所述等离子体电源模块的电极(101)，两个所述电极(101)之间设置有第一进气管(102)；所述工作室(2)内设置有超滤膜装载部件，所述工作室(2)的底部设置有抽气口(204)，所述抽气口(204)与一真空机组(3)连接，所述真空机组(3)连接所述控制单元；

所述超滤膜装载部件包括与所述控制单元相连接的步进装置(201)，所述步进装置(201)通过至少一根螺纹杆(202)与一用于存放超滤膜的基片台(203)活动连接；

所述等离子体电源模块包括三个并联的RC阻容缓冲电路，与所述三个并联的RC阻容缓冲电路相连接的三相可控硅全桥整流滤波电路，并联在所述三相可控硅全桥整流滤波电路输出端的两个串联的电解电容，以及连接在所述三相可控硅全桥整流滤波电路输出端的脉冲输出电路；所述两个串联的电解电容还并联有一无感聚酯薄膜电容。

2.根据权利要求1所述的等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：所述步进装置(201)通过一根螺纹杆(202)与所述基片台(203)活动连接，所述步进装置(201)与基片台(203)之间还设置有用于辅助螺纹杆(202)承载所述基片台(203)的滑杆(205)。

3.根据权利要求2所述的等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：所述基片台(203)上设置有加热片，所述加热片的电源线设置在所述滑杆(2)内并连接所述控制单元。

4.根据权利要求1所述的等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：所述放电室(1)的上方、左侧和右侧分别设置有第一磁场产生器(104)、第二磁场产生器(105)和第三磁场产生器(106)；所述第一磁场产生器(104)的上端和下端分别为N极和S极；所述第二磁场产生器(105)和第三磁场产生器(106)的上端和下端均分别为S极和N极。

5.根据权利要求1所述的等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：所述放电室(1)的另一侧设置有气体容置腔(403)，所述气体容置腔(403)通过气体输送控制装置(404)连接所述第一进气管(102)，所述气体输送控制装置(404)为连接所述控制单元的流量电磁阀；所述放电室(1)内还设置有第二进气管(103)。

6.根据权利要求1所述的等离子体改性超滤膜处理系统，其特征在于：所述脉冲输出电路包括逆变器控制电路，NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4，串联的二极管D7和二极管D8，以及串联的二极管D9和二极管D10；所述NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4的基极分别连接所述逆变器控制电路，所述NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q3的发射极与所述二极管D7和二极管D9的正极两两相互连接；所述NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q4的集电极与所述二极管D8和二极管D10的负极两两相互连接；所述二极管D7的负极连接二极管D8的正极；所述二极管D9的负极连接二极管D10的正极；所述PNP型三极管Q2的发射极依次连接一变压器和电容C7，所述电容C7的另一端连接所述NPN型三极管Q4的发射极；所述NPN型三极管Q2的集电极和NPN型三极管Q1的发射极分别为连接所述三相可控硅全桥整流滤波电路输出端的节点。