[发明专利]具有集成式触摸屏的显示装置有效
申请号: | 201710560680.6 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN108242455B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 姜姸淑;许峻瑛;李镕百 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 触摸屏 显示装置 | ||
1.一种具有集成式触摸屏的显示装置,所述显示装置包括:
位于基板上的有机发光器件层;
位于所述有机发光器件层上的多个滤色器;
黑矩阵,所述黑矩阵与所述多个滤色器之间的边界部分交叠,所述黑矩阵包括三层或更多层的金属层;
位于所述黑矩阵上的多个第一触摸电极和多个第二触摸电极;以及
具有钝化层的TFT层,
其中,第一触摸线从所述第一触摸电极或接触所述第一触摸电极的黑矩阵延伸,第二触摸线从所述第二触摸电极或接触所述第二触摸电极的黑矩阵延伸,
其中,所述第一触摸线和所述第二触摸线通过穿过所述钝化层形成的接触孔而与焊盘连接,并且
其中所述黑矩阵接触所述第一触摸电极和所述第二触摸电极,以减小所述第一触摸电极和所述第二触摸电极的电阻。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述黑矩阵包括:
第一半透射层,所述第一半透射层半透射从所述有机发光器件层入射的光;
位于所述第一半透射层上的第一光路改变层,所述第一光路改变层改变穿过所述第一半透射层的光的路径;和
位于所述第一光路改变层上的第一反射层,所述第一反射层将路径被所述第一光路改变层改变了的光反射。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第一半透射层和所述第一反射层包括相同的材料。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第一半透射层的厚度比所述第一反射层的厚度薄。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第一光路改变层包括氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第一半透射层和所述第一反射层均包括铬Cr、钼Mo、Mo和Ti的合金MoTi、钨W、钒V、铌Nb、钽Ta、锰Mn、钴Co和镍Ni的其中之一。
7.根据权利要求2所述的显示装置,还包括位于所述第一反射层上的辅助金属层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述辅助金属层包括铝Al。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:位于所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极上的多个抗反射图案,所述多个抗反射图案的每一个包括三层或更多层。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述多个抗反射图案的每一个包括:
第二半透射层,所述第二半透射层半透射从外部入射的光;
位于所述第二半透射层的下方的第二光路改变层,所述第二光路改变层改变穿过所述第二半透射层的光的路径;和
位于所述第二光路改变层的下方的第二反射层,所述第二反射层将路径被所述第二光路改变层改变了的光反射。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述第二半透射层和所述第二反射层包括相同的材料。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述第二半透射层的厚度比所述第二反射层的厚度薄。
13.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述第二光路改变层包括氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
14.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述第二半透射层和所述第二反射层均包括铬Cr、钼Mo、Mo和Ti的合金MoTi、钨W、钒V、铌Nb、钽Ta、锰Mn、钴Co和镍Ni的其中之一。
15.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述多个抗反射图案设置成与设置有所述黑矩阵的区域交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的