[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201710560647.3 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107170412B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 陈小龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266;G09G3/3291;G09G3/3233 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:
第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容以及有机发光二极管;
所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号,所述第五薄膜晶体管的源极接入电源正电压,所述第五薄膜晶体管的漏极分别与所述第二电容的一端、所述第三薄膜晶体管的漏极以及所述第一薄膜晶体管的源极电性连接;
所述第二电容的另一端与所述第一电容的一端电性连接;所述第一电容的另一端接地;
所述第三薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号,所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极都接入数据电压或者初始化电压;所述第四薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号;所述第四薄膜晶体管的漏极分别与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的漏极以及所述第六薄膜晶体管的漏极电性连接;
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二电容和所述第一电容之间的节点电性连接;
所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二电容和所述第一电容之间的节点电性连接;所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号;
所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号;所述第六薄膜晶体管的源极与所述有机发光二极管的阳极电性连接;所述有机发光二极管的阴极接入电源负电压;
所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管;
所述第一扫描信号、所述第二扫描信号以及所述第三扫描信号相组合,先后对应于初始化阶段、阈值电压存储阶段以及发光显示阶段;
在所述初始化阶段,所述第一扫描信号和所述第二扫描信号都为低电位,所述第三扫描信号为高电位;
在所述阈值电压存储阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号和所述第三扫描信号都为高电位;
在所述发光显示阶段,所述第一扫描信号和所述第二扫描信号都为高电位,所述第三扫描信号为低电位。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的一种。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,在所述初始化阶段,所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极都接入所述初始化电压;
在所述阈值电压存储阶段和所述发光显示阶段,所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极都接入所述数据电压。
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