[发明专利]波长可调谐系统的反馈控制环的初始参数和目标值的评估方法有效

专利信息
申请号: 201710560187.4 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107611773B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 田中宏和 申请(专利权)人: 住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号: H01S5/0683 分类号: H01S5/0683;H01S5/0687
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾红霞;张芸
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 波长 调谐 系统 反馈 控制 初始 参数 目标值 评估 方法
【权利要求书】:

1.一种利用自动功率控制和自动频率控制的反馈环来确定初始参数和目标值的方法,所述反馈环用于调整从波长可调谐系统输出的光束的波长和功率,所述波长可调谐系统设置有能在波长范围中的多个目标波长处操作的波长可调谐激光二极管,所述波长可调谐激光二极管表现出在所述波长范围的中心具有最大值但在所述波长范围的外围逐渐减小的光增益,所述方法包括如下步骤:

按预定次序重复对目标波长处的初始参数和目标值的评估;所述评估包括如下步骤:

向所述波长可调谐激光二极管提供凭经验确定的参数,

确认所述波长可调谐激光二极管是否产生光束,

当所述波长可调谐激光二极管稳定地产生光束时,执行所述自动功率控制和所述自动频率控制的反馈环,以确定所述初始参数和所述目标值,并与当前进行的一个目标波长相关联地将所述初始参数和所述目标值存储在存储器中,所述反馈环将当前从所述波长可调谐激光二极管输出的光束的所述波长和所述功率设定为等于当前进行的一个波长和所述一个波长处的功率,并且

当所述波长可调谐激光二极管没有产生光束或不稳定地操作时,使所述波长范围偏移,以排除当前进行的所述目标波长,

其中,所述预定次序是在尚未进行所述评估的最短目标波长与最长目标波长之间交替地进行选择。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中,所述波长可调谐激光二极管具有取样光栅分布反馈区域、啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域以及半导体光放大器区域的布置方式,所述取样光栅分布反馈区域表现出所述光增益,所述啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域具有修改所述啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域的温度的加热器,所述波长可调谐激光二极管被安装在改变所述波长可调谐激光二极管的温度的热电冷却器上,

凭经验获得的所述参数包括向所述取样光栅分布反馈区域供应的第一偏压电流、向啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域中的所述加热器供应的功率以及向所述热电冷却器供应的第二偏压电流,并且

由所述反馈环确定的所述初始参数是用于所述取样光栅分布反馈区域的所述第一偏压电流、向啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域中的所述加热器供应的所述功率、向所述热电冷却器供应的所述第二偏压电流以及向所述半导体光放大器区域供应的第三偏压电流,并且所述目标值是由检测所述光束的光电二极管产生的第一光电流以及由第二光电二极管产生的第二光电流与所述第一光电流的比率,所述第二光电二极管检测经由标准具的光束。

3.根据权利要求2所述的方法,

其中,所述标准具具有周期性透光率,在相邻峰值之间的间隔基本上与相邻目标波长之间的间隔相符合。

4.一种对波长可调谐激光二极管进行评级的方法,所述波长可调谐激光二极管设置有取样光栅分布反馈区域、啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域和半导体光放大器区域,所述波长可调谐激光二极管被安装在用于改变所述波长可调谐激光二极管的温度的热电冷却器上,所述啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域设置有用于改变所述啁啾取样光栅分布布拉格反射器区域的温度的加热器,所述波长可调谐激光二极管发射激光,通过设定所述波长可调谐激光二极管中的参数而能在波长范围中离散地调整所述激光的波长,所述取样光栅分布反馈区域具有在所述波长范围的中心表现出最大值而在所述波长范围的外围中变得较小的光增益,所述方法包括如下步骤:

通过设定凭经验确定的参数来在所述波长范围中的最短波长附近和最长波长附近驱动所述波长可调谐激光二极管;

确认所述波长可调谐激光二极管是否产生如下的光束,所述光束的波长位于所述波长范围中的所述最短波长和所述最长波长附近且功率位于预定功率附近,

当所述波长可调谐激光二极管不能产生所述最短波长和所述最长波长处的具有所述预定功率的光束或不能稳定地操作时,

下调所述波长可调谐激光二极管的等级,并且

重复在所述波长范围中的与所述最短波长相邻的波长和与所述最长波长相邻的波长处驱动所述波长可调谐激光二极管的步骤直到所述波长可调谐激光二极管稳定地产生光束为止,并且

当所述波长可调谐激光二极管不能发射所述波长范围的中部处的预定波长的激光时,确定所述波长可调谐激光二极管发生故障。

5.根据权利要求4所述的方法,

其中,驱动所述波长可调谐激光二极管的步骤包括如下步骤:向所述取样光栅分布反馈区域和所述半导体光放大器区域提供偏压电流,向所述加热器提供功率并向所述热电冷却器提供电流。

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