[发明专利]GaN基激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：

S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；

S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；

S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；

S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；

S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备；其中，

所述复合上波导层为不掺杂或轻掺杂的铟镓氮层-氮化镓层-铝镓氮层的复合结构，各层厚度为0.005-0.1μm，三层总厚度为0.05-0.15μm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述量子阱有源区的量子阱个数为1-5个，量子阱的材料为铟镓氮材料，量子阱厚度为1-10nm，量子垒材料为铟镓氮材料，量子垒的厚度为1-20nm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述n型限制层的材料为n型铝镓氮材料，厚度为0.6-2.5μm，铝组分为0.05-0.1。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述下波导层的材料为n型铟镓氮材料，厚度为0.03-0.12μm，铟镓氮材料中铟组分为0％-10％。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述p型电子阻挡层的材料为重掺杂的铝镓氮材料，厚度为0.01-0.025μm，铝组分为0.1-0.3。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述p型限制层的材料为p型铝镓氮材料，厚度为0.45-0.65μm，铝组分为0.05-0.12。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述p型接触层的材料为重掺杂的p型氮化镓材料，厚度为0.02-0.04μm。

8.一种氮化镓基激光器，其特征在于，包括：

依次生长在氮化镓衬底上的n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；

其中，复合上波导层为铟镓氮层-氮化镓层-铝镓氮层的复合结构。

9.根据权利要求8所述的氮化镓基激光器，其特征在于，对于所述复合上波导层，各层厚度为0.005-0.1μm，三层总厚度为0.05-0.15μm。