[发明专利]一种主动矩阵有机发光二极体面板有效
申请号: | 201710558540.5 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN107452777B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 迟明明;裴磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 矩阵 有机 发光 二极体 面板 | ||
1.一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,包括红色磷光体,所述红色磷光体包括主体材料、与所述主体材料混合设置的辅助主体材料和掺杂物,所述主体材料受激后在所述主体材料的未占有电子能级最低的轨道能级和所述辅助主体材料的已占有电子能级最高的轨道能级之间形成激基复合物,所述激基复合物的三线态高于所述掺杂物的三线态,所述激基复合物的单线态高于所述掺杂物的所述三线态。
2.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述辅助主体材料的所述已占有电子能级最高的轨道能级与被激发的所述主体材料的所述未占有电子能级最低的轨道能级之间通过轨道耦合形成所述激基复合物。
3.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述激基复合物的光谱范围宽于所述主体材料和所述辅助主体材料的光谱范围。
4.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述激基复合物的光致发光光谱相对于所述主体材料和所述辅助主体材料的光致发光光谱产生红移,所述红色磷光体的电致发光光谱相对于已有技术的红色磷光体的电致发光光谱产生红移。
5.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述辅助主体材料的未占有电子能级最低的轨道能级高于所述主体材料的所述未占有电子能级最低的轨道能级的值不超过1电子伏,所述辅助主体材料的所述已占有电子能级最高的轨道能级高于所述主体材料的已占有电子能级最高的轨道能级的值不超过1电子伏。
6.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述辅助主体材料为含氮或硫的芳香族有机小分子,所述芳香族有机小分子含有与所述主体材料相似的功能性基团,所述功能性基团为芳香胺、咔唑、含氮或硫的吸电子基的五元或六元杂环。
7.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述辅助主体材料占所述红色磷光体的体积为2%~10%。
8.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述辅助主体材料的熔点小于400摄氏度,所述辅助主体材料的玻璃化转变温度高于150摄氏度,所述辅助主体材料具有分子偶极,所述辅助主体材料的纯度超过99.9%,所述主体材料和所述掺杂物均不与所述辅助主体材料发生化学反应。
9.根据权利要求1所述的一种主动矩阵有机发光二极体面板,其特征在于,所述主动矩阵有机发光二极体面板由所述主体材料、所述辅助主体材料和所述掺杂物通过蒸镀工艺制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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