[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710557656.7 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109243975B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;翟海青 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供器件衬底；
对所述器件衬底的背面进行第一离子注入，以在所述器件衬底中形成缓冲层；
自所述器件衬底的所述背面进行第二离子注入，以在所述器件衬底中形成注入层，所述注入层的表面与所述背面齐平；
进行退火处理，以激活所述缓冲层和所述注入层中的注入离子；
自所述背面去除部分厚度的所述注入层，以减小所述注入层的结深至目标结深。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的导电类型为N型，所述注入层的导电类型为P型。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用旋转刻蚀的方法去除部分厚度的所述注入层。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除的所述注入层的厚度范围为0.2μm～0.4μm。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入能量范围为2Mev～3Mev，注入剂量范围为1E12～5E13atom/cm2，和/或，所述第二离子注入的注入能量范围为20Kev～40Kev，注入剂量范围为1E13～1E14atom/cm2。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理为激光退火处理。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述激光退火处理为高能激光退火处理，其退火能量为1.5J～3J。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述注入层位于所述缓冲层的顶面上。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理后所述去除部分厚度的所述注入层的步骤之前所述注入层的结深范围为0.4μm～0.8μm，所述目标结深范围为0.2μm～0.4μm。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行所述第一离子注入之前，还包括对所述器件衬底的背面进行减薄的步骤。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在进行所述减薄之前，还包括以下步骤：
在所述器件衬底的正面形成键合层；
提供支撑衬底，将所述键合层和所述支撑衬底相接合。
12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为IGBT器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
