[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710557541.8 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107331778B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 田清勇;范斌 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫纳米科技有限公司;苏州协鑫能源技术发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将前驱体溶液喷涂在基板上，形成液膜；所述前驱体溶液包括溶剂、以及溶解在所述溶剂中的钙钛矿材料；
加热所述基板，以使所述液膜形成半干膜；
将反溶剂喷涂在所述半干膜上以使所述半干膜晶化；
所述半干膜为：所述液膜表面已干，但是颜色还未变成深棕色。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的制备方法还包括，在所述半干膜晶化之后，进行退火操作。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火操作的温度为110℃～120℃，时间为10min～60min。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述半干膜晶化时，所述基板的温度为80℃～100℃。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述半干膜晶化时，气压为负压。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在形成所述半干膜的过程中，所述基板的温度为80℃～100℃。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液的浓度为0.1mol/L～0.3mol/L。
8.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、异氟尔酮、乙二醇单甲醚和γ-丁内酯中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述反溶剂选自甲苯、氯苯、四氢呋喃、乙腈和乙醚中的一种或几种。
10.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿薄膜通过权利要求1～9任一项的制备方法获得。
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