[发明专利]一种用于PWM/PFM双模式DC-DC开关电源的电流检测电路

权利要求书

1.一种用于PWM和PFM双模式DC-DC开关电源的电流检测电路，其特征在于：包括NMOS管SP、SP1、SN、峰值电流检测电路、电流过零检测电路以及过零周期计数电路；

NMOS管SP和SP1为镜像关系，外部输入的第一驱动信号用于控制NMOS管SP和SP1的通断，同时，所述第一驱动信号也用于使能峰值电流检测电路；

外部输入的第二驱动信号用于控制NMOS管SN的通断，同时，所述第二驱动信号也用于使能电流过零检测电路；

峰值电流检测电路：用于检测NMOS管SP1开启时的工作电流；

电流过零检测电路：用于检测NMOS管SN开启时漏端电压，当该漏端电压大于0V时，电流过零检测电路生成过零指示信号；

过零周期计数电路：对所述过零指示信号进行计数，达到预设次数时，输出模式切换控制信号，用于PWM和PFM双模式DC-DC开关电源的模式切换。

2.根据权利要求1所述的一种用于PWM和PFM双模式DC-DC开关电源的电流检测电路，其特征在于：所述第一驱动信号和第二驱动信号不同时为高电平或者不同时为低电平。

3.根据权利要求1所述的一种用于PWM和PFM双模式DC-DC开关电源的电流检测电路，其特征在于：在NMOS管SP工作时，峰值电流检测电路采集NMOS管SP源端电压，并且根据NMOS管SP源端电压，配置NMOS管SP1的源端电压。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的一种用于PWM和PFM双模式DC-DC开关电源的电流检测电路，其特征在于：所述峰值电流检测电路包括：

包括晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18、晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21、晶体管M22、晶体管M23、晶体管M24和晶体管M116；

晶体管M2的漏端及栅端与晶体管M3栅端相连，并接入由外部输入的电流偏置Ibias，晶体管M2的源端与晶体管M4的漏端及栅端、晶体管M5的栅端相连，晶体管M4、晶体管M5的源端接地，晶体管M3的源端与晶体管M5漏端连接，晶体管M3漏端同时与晶体管M6的漏端及栅端、晶体管M7的栅端、晶体管M8的栅端连接，晶体管M6、晶体管M7及晶体管M8的源端与电源VDD连接，晶体管M7的漏端分别与晶体管M9栅端和漏端、晶体管M10栅端、晶体管M11栅端、晶体管M15栅端以及晶体管M17栅端相连，晶体管M9的源端与晶体管M10的漏端相接，晶体管M10源端接地，晶体管M8的漏端同时与晶体管M11的漏端、晶体管M12的栅端、晶体管M16的栅端以及晶体管M18的栅端相连接，晶体管M11的源端与晶体管M12的漏端相连，晶体管M12及晶体管M16的源端接地，晶体管M16的漏端与晶体管M15的源端连接，晶体管M15的漏端与晶体管M14的漏端和栅端、晶体管M116的栅端连接，晶体管M14的源端与晶体管M13的漏端相连，晶体管M13的栅端接NMOS晶体管SP的栅端电压HSGATE，晶体管M13的源端连接NMOS晶体管SP的源端电压SW，晶体管M116的源端连接NMOS晶体管SP1的源端及晶体管M19的漏端，晶体管M116的漏端同时与晶体管M17的漏端、晶体管M20的栅端、晶体管M21的栅端相连，晶体管M17的源端与晶体管M18的漏端连接，晶体管M18的源端与地相连，晶体管M19的栅端接至电源VDD，晶体管M19的源端与晶体管M20的漏端连接，晶体管M20的源端与地相连，晶体管M21的源端连接至地，晶体管M21的漏端与晶体管M22的漏端和栅端、晶体管M23的栅端连接，晶体管M22及晶体管M23的源端与电源VDD连接，晶体管M23的漏端与晶体管M24的源端连接，晶体管M24的栅端连接至NMOS晶体管SP的栅端电压HSGATE，晶体管M24漏端输出检测电流HIsense。